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本发明公开了一种接触孔的制造方法,包括:步骤一、进行刻蚀形成接触孔开口。步骤二、进行第一次钨沉积形成第一钨层,在部分接触孔开口的顶部具有缩颈形貌并形成钨未完全填充的缝隙。步骤三、进行第一次CMP到底层结构的顶部表面之下的第一目标位置,第一次...该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种接触孔的制造方法,包括:步骤一、进行刻蚀形成接触孔开口。步骤二、进行第一次钨沉积形成第一钨层,在部分接触孔开口的顶部具有缩颈形貌并形成钨未完全填充的缝隙。步骤三、进行第一次CMP到底层结构的顶部表面之下的第一目标位置,第一次...