本公开提供一种气体控制结构，属于半导体技术领域，气体控制结构包括：第一进气管路，所述第一进气管路上设置有第一流量控制结构，用于控制通入所述第一进气管路中的制程气体的流量；第二进气管路，所述第二进气管路上设置有第二流量控制结构，用于控制通入所述第二进气管路中的离子气体的流量；所述第一进气管路的出气口和所述第二进气管路的出气口分别与RPS装置的入口连接。本公开将气路结构拆分为两个单独的进气管路，结构简单，便于维护与检修，有效提高生产效率和生产质量。
【技术实现步骤摘要】
本公开属于半导体，具体涉及一种气体控制结构。
技术介绍
1、在真空泵设备的制程腔体里的工艺流程中，制程气体、吹扫气体以及需要注入的离子气体都汇聚到一个反应腔腔室中，在该工艺结束后，上述多种气体混合一起流入真空泵，其中若存在一种或几种特殊气体，其在特定情况下会发生化学反应，生成有毒有害气体、液体或者固体，腐蚀设备或卡死真空泵，影响到设备的运行效率和生产质量。
2、因此，在上述制程腔体的工艺流程中，需要考虑气体输送、气体流量、气体纯度和安全控制等多个方面，以确保工艺的准确性、稳定性和安全性。然而，在目前的该工艺中，针对制程气体管路与离子气体管路是由一个整体的气体控制结构进行控制，或者，由一个单一的进气管路控制以将多种气体引入，再分别分成两条进气支路，上述结构的管路控制过程复杂，不便于对每种气体进行单独控制。同时，在气体控制结构长期通气运行后，化学反应产生的物质或粉尘也可能会导致气体管路或器件堵塞，造成测量误差，且上述结构的管路复杂，很难定位到堵塞点，不便于检修和维护。
技术实现思路
>1、本公开旨在至少本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种气体控制结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的气体控制结构，其特征在于，所述第一流量控制结构包括沿制程气体流动方向依次设置的第一进气流量控制阀、第一流量计和第一调压阀；其中，
3.根据权利要求1所述的气体控制结构，其特征在于，所述第二流量控制结构包括沿离子气体流动方向依次设置的第二进气流量控制阀、第二流量计和第二调压阀；其中，
4.根据权利要求2或3所述的气体控制结构，其特征在于，第一进气流量控制阀与第二进气流量控制阀采用进气比例阀。
5.根据权利要求1所述的气体控制结构，其特征在于，所述第一进气管路上还设置有第一备用进...
【技术特征摘要】
1.一种气体控制结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的气体控制结构，其特征在于，所述第一流量控制结构包括沿制程气体流动方向依次设置的第一进气流量控制阀、第一流量计和第一调压阀；其中，
3.根据权利要求1所述的气体控制结构，其特征在于，所述第二流量控制结构包括沿离子气体流动方向依次设置的第二进气流量控制阀、第二流量计和第二调压阀；其中，
4.根据权利要求2或3所述的气体控制结构，其特征在于，第一进气流量控制阀与第二进气流量控制阀采用进气比例阀。
5.根据权利要求1所述的气体控制结构，其特征在于，所述第一进气管路上还设置有第一备用进气管路，所述第一备用进气管路的进气口与出气口分别位于所述第一流量控制结构的两侧，以在所述第一流量控制结构故障时...
【专利技术属性】
技术研发人员：张开，季慧，费纲刚，吴杨彬，谢龙飞，
申请(专利权)人：上海通嘉宏盛半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：
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