【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体设备,具体涉及一种反应腔温度控制系统。
技术介绍
1、半导体设备中气体消减设备主要用于对流入真空泵的气体进行消减处理,以去除其中一种或者几种气体。在制程腔体内工艺结束后,有多种气体混合后一起进入真空泵,由于真空泵抽真空的过程中会压缩空气做功,使得真空泵内温度上升,并使得流经真空泵的气体在高温高压环境下会发生化学反应。若多种气体中存在一种或几种特殊气体,其在真空泵的高温高压环境下会发生化学反应并生成有毒有害的气体、液体或者固体。其中,气体会造成环境污染,液体会导致真空泵腐蚀,固体则会导致真空泵卡死。而气体消减设备就是在气体流入真空泵前,将其中一种或者多种气体处理掉。
2、在气体消减设备中,客户端来的气体和设备注入的气体以及离子发生装置提供的等离子,会汇聚在气体消减设备的反应腔内发生化学反应。而离子发生装置提供的等离子为具有一定温度的等离子体,其进入反应腔并与反应腔内的气体发生化学反应,释放热量并引起反应腔发热,而反应腔过热或过冷会影响反应腔内气体的化学反应速度。
3、因此,亟需一种反应腔温度控制系统
...【技术保护点】
1.一种反应腔温度控制系统,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的反应腔温度控制系统,其特征在于,所述开关单元包括隔膜阀和电磁阀,所述隔膜阀设置于所述第三入口处,所述电磁阀与所述隔膜阀电连接,所述电磁阀用于控制所述隔膜阀的打开或关闭;
3.根据权利要求1所述的反应腔温度控制系统,其特征在于,所述冷却单元包括冷却块和阀门,内部中空的所述冷却块安装于所述第二入口处;所述冷却块具有冷却介质入口和冷却介质出口;冷却介质由所述冷却介质入口进入所述冷却块中对所述第二入口中的等离子体进行冷却后由所述冷却介质出口排出;
4.根据权利要求3所述
...【技术特征摘要】
1.一种反应腔温度控制系统,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的反应腔温度控制系统,其特征在于,所述开关单元包括隔膜阀和电磁阀,所述隔膜阀设置于所述第三入口处,所述电磁阀与所述隔膜阀电连接,所述电磁阀用于控制所述隔膜阀的打开或关闭;
3.根据权利要求1所述的反应腔温度控制系统,其特征在于,所述冷却单元包括冷却块和阀门,内部中空的所述冷却块安装于所述第二入口处;所述冷却块具有冷却介质入口和冷却介质出口;冷却介质由所述冷却介质入口进入所述冷却块中对所述第二入口中的等离子体进行冷却后由所述冷却介质出口排出;
4.根据权利要求3所述的反应腔温度控制系统,其特征在于,所述冷却介质为气体或液体。
5.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘国莉,汪鹏,季慧,费纲刚,谢龙飞,
申请(专利权)人:上海通嘉宏盛半导体设备有限公司,
类型:新型
国别省市:
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