一种灯丝和阴极组件及包括其的离子注入机用离子源制造技术

本技术公开了一种灯丝和阴极组件及包括其的离子注入机用离子源，灯丝置于阴极内，其中，阴极包括主体，所述主体形成为端敞口的筒状结构，所述主体的底壁厚度占所述主体长度的9.22/28至9.22/27，以及9.22/27至10.42/27；所述灯丝距所述底壁的内表面之间的距离占所述主体的深度的1/17.78至0.6/17.58。本技术通过提供一种灯丝和阴极组件，并合理设置灯丝与阴极的底壁的内表面之间的距离，以及底壁的壁厚占阴极总长度的占比，使得阴极被减薄击穿的时间延长，从而能有效保护灯丝的时间延长，有利于延长灯丝的使用寿命，提高离子注入机的产出与利用率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体设备领域，特别涉及一种灯丝和阴极组件及包括其的离子注入机用离子源。

技术介绍

1、离子注入机在半导体中的主要应用为掺杂不同源种的原子到硅衬底中，n型和p型元素在注入过程中会以离子化的形态通过加速/减速/筛选注入到晶圆表面。离子注入机的核心部件之一是离子源，其主要作用是将气体分子离子化。

2、离子源的工作原理主要包括对灯丝进行加热，灯丝被加热后，产生灯丝热电子，该热电子再将阴极进行加热，阴极被加热后产生阴极电子，阴极电子用于起弧，随着阴极被消耗，其表面被减薄击穿后，灯丝与等离子体接触会导致灯丝迅速断裂，灯丝断裂后，需要进行更换和维护，影响离子注入机的产出与利用率，因此，阴极改进对保护灯丝，延长离子源的寿命，以及离子注入机的产出与利用率至关重要。

技术实现思路

1、本技术要解决的技术问题是提供一种灯丝和阴极组件及包括其的离子注入机用离子源，能有效保护灯丝，延长灯丝使用寿命，进而延长离子源寿命，提高离子注入机的产出与利用率。

2、为解决上述技术问题，本技术的第一个方面是提供一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种灯丝和阴极组件，灯丝置于阴极内，其特征在于，所述阴极包括主体，所述主体形成为端敞口的筒状结构，所述主体的底壁厚度占所述主体长度的9.22/28至9.22/27，以及9.22/27至10.42/27；

2.如权利要求1所述的灯丝和阴极组件，其特征在于，所述底壁的厚度为9.22-10.42mm；

3.如权利要求1所述的灯丝和阴极组件，其特征在于，所述底壁的厚度为9.22-10.22mm；

4.如权利要求1所述的灯丝和阴极组件，其特征在于，所述底壁的厚度为9.22-9.42mm；

5.如权利要求1所述的灯丝和阴极组件，其特征在于，所述底壁...

【技术特征摘要】

1.一种灯丝和阴极组件，灯丝置于阴极内，其特征在于，所述阴极包括主体，所述主体形成为端敞口的筒状结构，所述主体的底壁厚度占所述主体长度的9.22/28至9.22/27，以及9.22/27至10.42/27；

2.如权利要求1所述的灯丝和阴极组件，其特征在于，所述底壁的厚度为9.22-10.42mm；

3.如权利要求1所述的灯丝和阴极组件，其特征在于，所述底壁的厚度为9.22-10.22mm；

4.如权利要求1所述的灯丝和阴极组件，其特征在于，所述底壁的厚度为9.22-9.42mm；

5.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：涂怀德，胡浩，冯存根，马富林，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：