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本技术公开了一种灯丝和阴极组件及包括其的离子注入机用离子源，灯丝置于阴极内，其中，阴极包括主体，所述主体形成为端敞口的筒状结构，所述主体的底壁厚度占所述主体长度的9.22/28至9.22/27，以及9.22/27至10.42/27；所述灯丝...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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