晶圆缺陷检测方法、装置及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种晶圆缺陷检测方法、装置及电子设备，该方法包括：获取参考晶粒图像和待测晶粒图像；对参考晶粒图像推荐对准区域，并获取对准区域的对准模板图像；基于对准区域建立粗对准关注区，并根据参考晶粒图像和待测晶粒图像在粗对准关注区的图像的投影偏移量对待测晶粒图像的对准区域进行校准，以获取对准校正区域；基于对准校正区域对待测晶粒图像进行剪裁，以获取对准校正区域的图像；根据对准校正区域的图像与对准模板图像执行精对准操作，以确定对准结果。本发明专利技术实施例通过优化图像对准模板和对准策略，减少计算量，提高计算效率，能够提高大尺寸图像整体的匹配效率和精确度，实现大尺寸图像的快速对准。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶圆缺陷检测，尤其涉及一种晶圆缺陷检测方法、装置及电子设备。

技术介绍

1、半导体中有图形晶圆缺陷检测是半导体制造的重要环节，旨在对晶圆上的缺陷进行识别、定位和分类，以确保产品质量和良率。

2、在现有技术中，晶圆缺陷检测的方法通常采用d2d(die to die)，或称为随机模式(random mode)，即通过检测待检测晶粒die和参考晶粒die在相同位置处的图像差异来确定晶圆是否存在缺陷。在特殊情形下，有些图形本身具有周期性，现有技术通过图形自身不同临近周期(例如pitch)之间的差异来获得缺陷的位置，即c2c(cell to cell)，或称为阵列模式(array mode)。另外，现有技术还通过单个图像和该位置处的设计图形(graphicdata system，简称gds)进行比对来获得缺陷的位置，即d2g(die to general)的方式。

3、上述现有的检测方法，都需要执行精确的图像对准操作。其中，图像的对准(alignment)是指获取两张图像之间图案(pattern)位置的偏差，而图像对准操作需要将本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆缺陷检测方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述基于所述对准区域建立粗对准关注区，并根据所述参考晶粒图像和所述待测晶粒图像在所述粗对准关注区的图像的投影偏移量对所述待测晶粒图像的对准区域进行校准，以获取对准校正区域，包括：

3.根据权利要求2所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述根据所述第一图像与所述第二图像的投影峰值偏移量对所述待测晶粒图像的对准区域进行校准，包括：

4.根据权利要求1所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述基于所述对准区域建立粗对准关注区，并根据所述参考晶粒图像和所述待测晶粒...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆缺陷检测方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述基于所述对准区域建立粗对准关注区，并根据所述参考晶粒图像和所述待测晶粒图像在所述粗对准关注区的图像的投影偏移量对所述待测晶粒图像的对准区域进行校准，以获取对准校正区域，包括：

3.根据权利要求2所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述根据所述第一图像与所述第二图像的投影峰值偏移量对所述待测晶粒图像的对准区域进行校准，包括：

4.根据权利要求1所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述基于所述对准区域建立粗对准关注区，并根据所述参考晶粒图像和所述待测晶粒图像在所述粗对准关注区的图像的投影偏移量对所述待测晶粒图像的对准...

【专利技术属性】
技术研发人员：王世恩，郑教增，张鹏黎，孙刚，
申请(专利权)人：上海御微半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：