一种磁控溅射舱逃逸粒子捕捉罩及方法技术

本发明专利技术属于磁控溅射设备技术领域，公开了一种磁控溅射舱逃逸粒子捕捉罩及方法，包括：溅射舱体，及设置在溅射舱体内腔的捕集罩体；所述溅射舱体内腔顶部设置有靶材，内腔底部设置有用于带镀膜工件放置的基板支架，所述基板支架上设置有悬浮支架，所述悬浮支架上卡紧有镂空网格收集罩，所述捕集罩体设置在镂空网格收集罩的上端；所述捕集罩体包括由外至内依次设置的梯度外层、梯度中层和梯度内层，通过捕集罩体的梯度结构、物理场协同及PLC动态控制，实现逃逸粒子的高效捕获和防二次逃逸效果，同时提高了快速维护的效率，并解决传统清理方式的效率与安全隐患问题，提升工作效率，减少粉尘职业伤害，提升品质，降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于磁控溅射设备，具体涉及一种磁控溅射舱逃逸粒子捕捉罩及方法。

技术介绍

1、磁控溅射反应是物理气相沉积反应中的一种，通常在真空腔室中进行，腔室的顶部固定有靶材，靶材背面安装有磁铁，通过磁场增强束缚电子的能力，在基片和靶材之间通入氩气等气体，对靶材施加负电压，使得气体电离产生等离子体，氩离子撞击靶材产生靶材材料的原子或离子等粒子，这些粒子溅射并沉积在基片上最终形成所需的膜层，磁控溅射(pvd)是在高真空舱中利用荷能粒子轰击靶表面，使被轰击出的粒子沉积在基片的一面或是两面，溅射工艺已经成为复合铜箔、复合功能膜等材料表面处理干式方法的主要选择；

2、磁控溅射反应除用于沉积金属薄膜外，还可以用于金属氧化物(如氧化钛、氧化钽、二氧化硅等)的沉积，在沉积金属氧化物时，腔室内除溅射气体(氩气)外，还需同时通入反应气体(如，氧气)；

3、然而现有技术中的磁控溅射仍存在以下不足之处：

4、1、溅射的粒子逃逸，溅射粒子附着于舱壁、阳极板、靶基座等表面，引发异常放电，导致产品穿孔、烧焦、镀层剥离；

5、2、现有拦截离子本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种磁控溅射舱逃逸粒子捕捉罩，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射舱逃逸粒子捕捉罩，其特征在于：所述捕集罩体(9)主要由镍基合金构成，所述捕集罩体(9)的外侧喷涂有碳化硅陶瓷层(15)，所述捕集罩体(9)的内侧喷涂有氧化铪活性层(16)，所述镂空网格收集罩(17)的表面喷涂有绝缘层。

3.根据权利要求2所述的一种磁控溅射舱逃逸粒子捕捉罩，其特征在于：所述捕集罩体(9)的耐受温度为800℃，所述碳化硅陶瓷层(15)的硬度大于2000HV，所述氧化铪活性层(16)通过高温退火再生的使用次数大于50次。

4.根据权利要求3所述的一种磁...

【技术特征摘要】

1.一种磁控溅射舱逃逸粒子捕捉罩，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射舱逃逸粒子捕捉罩，其特征在于：所述捕集罩体(9)主要由镍基合金构成，所述捕集罩体(9)的外侧喷涂有碳化硅陶瓷层(15)，所述捕集罩体(9)的内侧喷涂有氧化铪活性层(16)，所述镂空网格收集罩(17)的表面喷涂有绝缘层。

3.根据权利要求2所述的一种磁控溅射舱逃逸粒子捕捉罩，其特征在于：所述捕集罩体(9)的耐受温度为800℃，所述碳化硅陶瓷层(15)的硬度大于2000hv，所述氧化铪活性层(16)通过高温退火再生的使用次数大于50次。

4.根据权利要求3所述的一种磁控溅射舱逃逸粒子捕捉罩，其特征在于：所述梯度外层(91)为100目的稀疏网格，所述梯度中层(92)为200目的中等密度网格，所述梯度内层(93)为300目的致密网格。

5.根据权利要求4所述的一种磁控溅射舱逃逸粒子捕捉罩，其特征在于：所述梯度外层(91)的孔径为0.5-1mm，所述梯度中层(92)的孔径为0.3mm，所述梯度内层(93)的孔径小于0.1mm，所述倒刺型纳米沟槽(95)的宽度小于1μm，所述倒刺型纳米沟槽(95)的深度为5-10微米。

6.根据权利要求5所述的一种磁控溅射舱逃逸粒子捕捉罩，其特征在于：所述悬浮支架(...

【专利技术属性】
技术研发人员：林腾光，马小沐，张文禄，
申请(专利权)人：江西光腾微纳材料有限公司，
类型：发明
国别省市：