一种无底切的铜蚀刻液制造技术

本发明专利技术属于金属蚀刻技术领域，具体公开了一种无底切的铜蚀刻液，按重量百分比计，包括以下组分：10‑22％过氧化氢、1‑5％螯合剂、0.02‑0.5％缓蚀剂、0.05‑1％表面活性剂、1‑4％pH调节剂、0.1‑0.5％增溶剂，余量为去离子水；所述螯合剂由羧甲基纤维素、三乙醇胺‑环氧氯丙烷聚合物和半胱氨酸‑环氧氯丙烷聚合物发生聚合反应而得。本发明专利技术提供一种无底切的铜蚀刻液，在过氧化氢的基础上添加螯合剂、缓蚀剂、表面活性剂、增溶剂以及pH调节剂等，调控并稳定蚀刻锥角，保证无底切。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于金属蚀刻，尤其涉及一种无底切的铜蚀刻液。

技术介绍

1、在当前显示
，平面显示器向大尺寸与高分辨率方向发展的趋势日益显著，这源于用户对更佳视觉体验的持续追求。然而，随着面板尺寸增大，导线阻抗随之上升，导致信号传输速度降低，这对电信号的传输性能及稳定性提出了更为严苛的要求。为适应面板行业的发展，采用具备优异导电性能与出色抗电迁移特性的金属铜及其合金来取代铝及其合金，能够显著降低导线阻抗与电流损耗，进而有效提升信号传输速度。

2、值得注意的是，铜材料的应用对配套蚀刻工艺提出了新要求。目前常用的铜蚀刻液采用过氧化氢体系，如专利技术专利cn117926257a公开了一种无undercut不含磷的铜蚀刻液，包括溶剂、双氧水、硫酸、双氧水稳定剂、护岸剂、蚀刻速率稳定剂和渗透剂；双氧水的浓度为20-160g/l；硫酸的浓度为40-140g/l；双氧水稳定剂的浓度为0.1-10g/l；护岸剂的浓度为0.1-10g/l；蚀刻速率稳定剂的浓度为0.1-20g/l；渗透剂的浓度为0.1-30g/l；在刻蚀过程中，铜离子的浓度会不断上升，加剧过氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种无底切的铜蚀刻液，其特征在于，按重量百分比计，包括以下组分：10-22％过氧化氢、1-5％螯合剂、0.02-0.5％缓蚀剂、0.05-1％表面活性剂、1-4％pH调节剂、0.1-0.5％增溶剂，余量为去离子水；

2.根据权利要求1所述的一种无底切的铜蚀刻液，其特征在于，所述螯合剂的制备方法包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的一种无底切的铜蚀刻液，其特征在于，所述羧甲基纤维素、三乙醇胺-环氧氯丙烷聚合物、半胱氨酸-环氧氯丙烷聚合物与氢氧化钠溶液的用量之比为(5-10)g:(3-5)g:(1-2)g:50mL；

4.根据权利要求2所述的一种无底...

【技术特征摘要】

1.一种无底切的铜蚀刻液，其特征在于，按重量百分比计，包括以下组分：10-22％过氧化氢、1-5％螯合剂、0.02-0.5％缓蚀剂、0.05-1％表面活性剂、1-4％ph调节剂、0.1-0.5％增溶剂，余量为去离子水；

2.根据权利要求1所述的一种无底切的铜蚀刻液，其特征在于，所述螯合剂的制备方法包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的一种无底切的铜蚀刻液，其特征在于，所述羧甲基纤维素、三乙醇胺-环氧氯丙烷聚合物、半胱氨酸-环氧氯丙烷聚合物与氢氧化钠溶液的用量之比为(5-10)g:(3-5)g:(1-2)g:50ml；

4.根据权利要求2所述的一种无底切的铜蚀刻液，其特征在于，所述三乙醇胺-环氧氯丙烷聚合物的制备方法包括以下步骤：

5.根据权利要求4所述的一种无底切的铜蚀刻液，其特征在于，所述三乙醇胺、环氧氯丙烷以及氢氧化锂溶液的用量之比为(7.4-7.5)g：(16.5-18.5)g：20ml...

【专利技术属性】
技术研发人员：王锁，吴际峰，王维康，何烨谦，黄德新，龚升，
申请(专利权)人：合肥中聚和成光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：