IGBT器件及其制备方法技术

本申请涉及一种IGBT器件及其制备方法，该制备方法包括：在衬底中形成多个栅沟槽以及位于之间的多个假沟槽，相邻的假沟槽之间的间距小于栅沟槽与相邻的假沟槽之间的间距；在栅沟槽内形成栅极结构，在假沟槽内形成假栅结构，且顶面均低于衬底的顶面；在衬底中形成体区；在栅极结构与相邻的假栅结构之间的体区中形成发射区；进行热氧化工艺，将假栅结构之间且高于假栅结构顶面的衬底材料以及发射区的顶面和侧面的部分厚度的衬底材料氧化成氧化硅层；去除部分氧化硅层，直至露出剩余的发射区的顶面；自对准刻蚀去除部分发射区，在发射区中形成发射极接触孔；在发射极接触孔内形成发射极金属层。提高发射极接触孔位置精度，并优化折中曲线。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半功率器件制备领域，特别涉及一种igbt器件及其制备方法。

技术介绍

1、igbt (insulated gate bipolar transistor，igbt）器件作为一种混合型功率器件，具有 mos 结构输入和双极性结构输出的特点，因此既具有 mosfet 输入阻抗高、驱动电路功率小、驱动简单、开关速度快、开关损耗小的优点，又具有双极性功率晶体管电流密度大、电流处理能力强、导通饱和压降低的优点。至从80年代初，受到国内外广泛研究，目前国产igbt器件在家电、工控及新能源领域已有所突破，当前阶段各公司igbt器件布局进入车载领域。

2、经过近四十年的发展，igbt器件由平面型发展到沟槽型，但是随着元胞（最小重复单元）的尺寸越来越小，制作igbt器件的过程中，在形成发射极接触孔时，当光掩膜版存在对准偏移或对准精度不够时，相应的光刻和刻蚀后形成的发射极接触孔位置也会发生偏移，影响了发射极接触孔的位置精度，并且igbt器件的综合性能仍有待提升。

技术实现思路

1、基于此，本申请提供一种半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种IGBT器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的IGBT器件的制备方法，其特征在于，所述第一间距的范围为0.2微米~0.4微米，所述第二间距的范围为0.6微米~0.9微米。

3.根据权利要求2所述的IGBT器件的制备方法，其特征在于，所述栅沟槽的深度与所述假沟槽的深度相同，所述栅沟槽的宽度与所述假沟槽的宽度相同；所述栅沟槽和所述假沟槽的深度范围为3微米~6微米，所述栅沟槽和所述假沟槽的宽度范围为0.3微米~0.7um。

4.根据权利要求1或3所述的IGBT器件的制备方法，其特征在于，相邻的所述栅沟槽之间的所述假沟槽的数量为2...

【技术特征摘要】

1.一种igbt器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的igbt器件的制备方法，其特征在于，所述第一间距的范围为0.2微米~0.4微米，所述第二间距的范围为0.6微米~0.9微米。

3.根据权利要求2所述的igbt器件的制备方法，其特征在于，所述栅沟槽的深度与所述假沟槽的深度相同，所述栅沟槽的宽度与所述假沟槽的宽度相同；所述栅沟槽和所述假沟槽的深度范围为3微米~6微米，所述栅沟槽和所述假沟槽的宽度范围为0.3微米~0.7um。

4.根据权利要求1或3所述的igbt器件的制备方法，其特征在于，相邻的所述栅沟槽之间的所述假沟槽的数量为2-7个。

5.根据权利要求1所述的igbt器件的制备方法，其特征在于，所述栅极结构的顶面和所述假栅结构的顶面均低于所述衬底的顶面的距...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹功勋，刘峰松，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：