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本申请涉及一种IGBT器件及其制备方法，该制备方法包括：在衬底中形成多个栅沟槽以及位于之间的多个假沟槽，相邻的假沟槽之间的间距小于栅沟槽与相邻的假沟槽之间的间距；在栅沟槽内形成栅极结构，在假沟槽内形成假栅结构，且顶面均低于衬底的顶面；在衬底...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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