【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件制造工艺领域，特别是指一种opc过程中的模型建立方法，以及利用所建的模型进行opc修正的方法。
技术介绍
1、在半导体制程中，随着工艺节点越来越小，版图图形密度会越来越高。为了能更好地将掩模上的集成电路图案通过光刻机曝光转移到硅片上，往往需要采用光学临近效应修正(opc：optical proximity correction)的方法对掩模板上的版图图形进行修正。光学邻近效应修正是一种增加光刻工艺分辨率的技术。在光刻的过程中，理想的情况下，硅片成像图形应该跟光掩膜上的布局设计完全一样。不幸的是，在深亚微米半导体制造过程中，当光掩膜图形的关键尺寸小于曝光波长的时候，由于图形的尺寸和光刻的波长的尺寸接近甚至更小时，由于光的干涉、衍射和显影等原因会导致曝光在光刻胶上的图形和掩模板版图上的图形不一致，产生光学临近效应(optical proximity effect，ope)的失真。硅片上的成像就会失真，从而与光掩膜的布局图形不是很吻合，产生了图形失真。所以为了在光刻胶上形成需要的图形，需要对掩模板版图上的图形进行opc
本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种OPC修正模型的建模方法，其特征在于：包含如下的步骤：
2.如权利要求1所述的OPC修正模型的建模方法，其特征在于：所述的建模方法具体包括：
3.如权利要求2所述的OPC修正模型的建模方法，其特征在于：所述的步骤1中，N组所述的OPC测试图形，是设置N组具有不同图形密度的OPC测试图形，其中N≥2；且所述具有不同图形密度的每组OPC测试图形中至少包含一相同的主图形Pi和设置在该主图形Pi周边且与其具有不同设计距离或不同总面积的至少一dummy图形Ai；利用所述OPC测试图形，建立包含芯片版图图形的关键尺寸随图形密度变化而变化的光学临近修
【技术特征摘要】
1.一种opc修正模型的建模方法，其特征在于：包含如下的步骤：
2.如权利要求1所述的opc修正模型的建模方法，其特征在于：所述的建模方法具体包括：
3.如权利要求2所述的opc修正模型的建模方法，其特征在于：所述的步骤1中，n组所述的opc测试图形，是设置n组具有不同图形密度的opc测试图形，其中n≥2；且所述具有不同图形密度的每组opc测试图形中至少包含一相同的主图形pi和设置在该主图形pi周边且与其具有不同设计距离或不同总面积的至少一dummy图形ai；利用所述opc测试图形，建立包含芯片版图图形的关键尺寸随图形密度变化而变化的光学临近修正模型。
4.如权利要求2所述的opc修正模型的建模方法，其特征在于：所述的图形密度η是指局部图形密度和/或全局图形密度；所述的局部图形密度是指，在一opc图形中划定一任意的预设区域，在所述的预设区域内所有的所述辅助图形ai的设计面积之和与所述预设区域的面积之比的比值：所述的任意图形密度ηi则是指不包括在n组opc测试图形密度所具体确定的实际版图中的任意图形密度。
5.如权利要求2所述的opc修正模型的建模方法，其特征在于：所述的dummy图形ai，其尺寸、面积或形貌为相同，或者是不相同；不同组的所述opc测试图形p1～pn中其dummy图形ai与所述opc测试图形p1～pn具有不同的距离，和/或，不同组的所述opc测试图形p1～pn中其dummy图形ai具有不同的总面积，以调节形成不同的图形密度η1～ηn。
6.如权利要求2所述的opc修正模型的建模方法，其特征在于：所述的建模精度δ，是根据产品设计冗余度确定，设计为该图形层最小cd值的1％～5％。
7.如权利要求2所述的opc修正模型的建模方法，其特征在于：所述的ssa table或ssatable(ηi)，其为一个矩阵，横竖方向自变量为版图图形中的线条宽度和空间周期或线条间距，其交叉位置的矩阵元为该组合的目标值或目标移动...
【专利技术属性】
技术研发人员：王雷，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。