一种光刻工艺、显影方法及其应用、制造量子器件的方法技术

技术编号:45937423 阅读:18 留言:0更新日期:2025-07-25 18:01
本申请公开了一种光刻工艺、显影方法及其应用、制造量子器件的方法,属于量子芯片制造领域。显影方法用于光刻工艺中在衬底表面形成具有沉积窗口的光刻胶层。该所述显影方法包括:将衬底表面经过曝光的光刻胶层浸没于处于给定工艺温度的显影剂中予以显影,并且同步在显影剂中实施超导波处理,其中,给定工艺温度小于显影剂的额定显影温度。通过上述方式可以使得制造量子器件的线宽一致性更高,从而能够改善其关联于线宽一致性的性能或参数。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于量子信息领域,尤其是量子芯片制造领域,特别地,本申请涉及一种光刻工艺、显影方法及其应用、制造量子器件的方法


技术介绍

1、约瑟夫森结(josephson junction)是一种重要的超导电子学元件,它在量子计算、量子信息处理、精密测量以及基础研究中具有关键作用。该结构以其独特的电学性质而闻名,是超导体领域的关键组成部分。

2、因此,在制造超导量子芯片时,确保约瑟夫森结的制造质量对超导量子芯片的性能有重要的影响。


技术实现思路

1、本申请的示例提供了一种光刻工艺、显影方法及其应用、制造量子器件的方法。该能够用于制造具有更高线宽一致性的量子器件例如约瑟夫森结,从而能够改善量子器件关联于厚度的性能,如约瑟夫森结的常温电阻。

2、本申请示例的方案,通过如下内容实施。

3、在第一方面,本申请的示例提出了一种用于光刻工艺中在衬底表面形成具有沉积窗口的光刻胶层的显影方法。

4、显影方法包括:

5、将衬底表面经过曝光的光刻胶层浸没于处于给定工艺温度的显本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种显影方法,用于光刻工艺中在衬底表面形成具有沉积窗口的光刻胶层,其特征在于,所述显影方法包括:

2.根据权利要求1所述的显影方法,其特征在于,所述光刻胶层为双层结构,可选地,所述沉积窗口为底切孔。

3.根据权利要求2所述的显影方法,其特征在于,超声波的功率依赖于沉积窗口的设计目标形貌而确定,以避免底切孔发生孔壁塌陷。

4.根据权利要求2或3所述的显影方法,其特征在于,双层结构包括PMMA和MMA;

5.一种光刻工艺,其特征在于,包括实施权利要求1至4中任意一项所述的显影方法。

6.根据权利要求5所述的光刻工艺,其特征在于,...

【技术特征摘要】

1.一种显影方法,用于光刻工艺中在衬底表面形成具有沉积窗口的光刻胶层,其特征在于,所述显影方法包括:

2.根据权利要求1所述的显影方法,其特征在于,所述光刻胶层为双层结构,可选地,所述沉积窗口为底切孔。

3.根据权利要求2所述的显影方法,其特征在于,超声波的功率依赖于沉积窗口的设计目标形貌而确定,以避免底切孔发生孔壁塌陷。

4.根据权利要求2或3所述的显影方法,其特征在于,双层结构包括pmma和mma;

5.一种光刻工艺,其特征在于,包括实施权利要求1至4中任意一项所述的显影方法。

6.根据权利要求5所述的光刻工艺,其特征在于,所述光刻工艺还包括:

7.根据权利要求6所述的光刻...

【专利技术属性】
技术研发人员:请求不公布姓名贾志龙
申请(专利权)人:本源量子计算科技合肥股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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