【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于能够使用于半导体装置制造步骤中的多层抗蚀剂法所进行的微细图案化的含金属的膜形成用组成物、使用该组成物的图案形成方法。
技术介绍
1、伴随lsi的高集成化及高速化,图案尺寸的微细化正急速进展。光刻技术随着此微细化,利用光源的短波长化及适当选择针对其的抗蚀剂组成物,而达成了微细图案的形成。成为其中心的是以单层使用的正型光致抗蚀剂组成物。此单层正型光致抗蚀剂组成物,是借由使抗蚀剂树脂中拥有对于利用氯系或氟系的气体等离子所进行的干蚀刻具有蚀刻耐性的骨架,且拥有曝光部会溶解之类的开关机制,而使曝光部溶解来形成图案,并以残存的抗蚀剂图案作为蚀刻掩膜来对被加工基板进行干蚀刻加工。
2、但是,在维持所使用的光致抗蚀剂膜的膜厚的状态下进行微细化,亦即将图案宽缩得更小的情况,光致抗蚀剂膜的分辨性能会降低,又,欲利用显影液来对光致抗蚀剂膜进行图案显影的话,所谓纵横比会变得过大,结果发生造成图案崩坏的问题。因此,伴随图案的微细化,光致抗蚀剂膜也逐渐薄膜化。
3、另一方面,被加工基板的加工,通常使用如下方法:以形成有图案的
...【技术保护点】
1.一种含金属的膜形成用组成物,包含(A)树脂、(B)金属源、及(C)有机溶剂,其特征在于:
2.根据权利要求1所述的含金属的膜形成用组成物,其中,该(A)树脂包含选自于经取代或非经取代的乙烯基、烯丙基、烯丙基氧基、乙炔基、炔丙基、炔丙基氧基、环氧基、含氧杂环丁基中的1者以上的交联基团。
3.根据权利要求1所述的含金属的膜形成用组成物,其中,该(A)树脂含有芳香环、脂环烃、或杂芳香环,且包含下式(1)表示的交联基团,
4.根据权利要求1所述的含金属的膜形成用组成物,其中,该(B)金属源是该金属与碳数1~30的1~4价的羧酸的盐。
...【技术特征摘要】
1.一种含金属的膜形成用组成物,包含(a)树脂、(b)金属源、及(c)有机溶剂,其特征在于:
2.根据权利要求1所述的含金属的膜形成用组成物,其中,该(a)树脂包含选自于经取代或非经取代的乙烯基、烯丙基、烯丙基氧基、乙炔基、炔丙基、炔丙基氧基、环氧基、含氧杂环丁基中的1者以上的交联基团。
3.根据权利要求1所述的含金属的膜形成用组成物,其中,该(a)树脂含有芳香环、脂环烃、或杂芳香环,且包含下式(1)表示的交联基团,
4.根据权利要求1所述的含金属的膜形成用组成物,其中,该(b)金属源是该金属与碳数1~30的1~4价的羧酸的盐。
5.根据权利要求1所述的含金属的膜形成用组成物,其中,该(b)金属源是下式(b-1)表示的结构,
6.根据权利要求1所述的含金属的膜形成用组成物,其中,该(b)金属源的金属是sn。
7.根据权利要求1所述的含金属的膜形成用组成物,其中,该(a)树脂具有至少1个下述通式(g-1)~(g-5)表示的构成单元,
8.根据权利要求1所述的含金属的膜形成用组成物,其中,该组成物更包含(d)交联剂、(e)酸产生剂、(f)表面活性剂、及(g)色素中的1种以上。
9.根据权利要求1所述的含金属的膜形成用组成物,其中,该(c)有...
【专利技术属性】
技术研发人员:小林直贵,石绵健汰,泷泽彼方,
申请(专利权)人:信越化学工业株式会社,
类型:发明
国别省市:
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