尾气过滤装置及气相生长设备制造方法及图纸

本技术提供了一种尾气过滤装置及气相生长设备，应用于气相生长设备的尾气排放，尾气过滤装置包括壳体和设于冷凝段内的冷凝件，壳体包括入口段和冷凝段，入口段具有沿壳体径向相对设置的第一端部和第二端部，第一端部设有进气口，第二端部与冷凝段连接，入口段内径自第一端部指向第二端部的方向增大。冷凝件设于冷凝段内，内部中空，且远离第二端部的一端部和/或侧部与内部相通。阻挡件和两端开口的引导通道，阻挡件设于冷凝件和入口段之间。本技术通过入口段扩径使气体流向更分散，避免因尾气在尾气过滤装置中快速冷凝液化而造成进气口堵塞颗粒的问题。通过延长冷凝路径，使尾气与冷凝件充分接触，提高了冷凝效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体设备，尤其涉及尾气过滤装置及气相生长设备。

技术介绍

1、使用气相生长设备，例如金属有机化合物化学气相沉积(metal-organicchemical vapor deposition，mocvd)设备进行沉积以在衬底表面形成半导体膜的过程中，为维持反应腔室内的反应压力需要在进气的过程中同步进行排气控制，以排出未反应的源气、吹扫气体和载气等。其中作为源气之一的ⅲ族、ⅱ族元素例如硼、镓、铟的有机化合物，以及作为另一种源气的v、ⅵ族元素例如砷的氢化物等相互之间反应会形成未附在衬底表面的颗粒，而一些未反应的源气，例如砷源具有毒性而不允许直接排放。现有技术的气相生长设备通常在反应腔室和真空泵之间设置过滤器，从反应腔室排出的尾气先经过滤器将具有毒性的气体在过滤器内凝结为液态或固态，再滤掉颗粒以不堵塞真空泵，从而保证尾气排放系统能够长期正常工作。

2、由于气相生长反应的工艺温度高，例如在mocvd设备中外延生长ingaasp半导体膜的工艺温度在600摄氏度以上，排出的尾气温度可高达130摄氏度以上。为确保真空泵的正常运行和使用寿命，现有技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种尾气过滤装置，其特征在于，应用于气相生长设备的尾气排放，所述尾气过滤装置包括：

2.根据权利要求1所述的尾气过滤装置，其特征在于，还包括与所述冷凝段连接并内部相通的颗粒过滤段，所述引导通道另一端与所述颗粒过滤段内相通。

3.根据权利要求1所述的尾气过滤装置，其特征在于，所述冷凝件包括冷凝盘管。

4.根据权利要求1所述的尾气过滤装置，其特征在于，所述第一端部与所述冷凝件的靠近所述入口段的一端部之间的径向距离L大于等于70mm，小于等于85mm。

5.根据权利要求1或4所述的尾气过滤装置，其特征在于，L1与L2的比值范围为1～1.5；<...

【技术特征摘要】

1.一种尾气过滤装置，其特征在于，应用于气相生长设备的尾气排放，所述尾气过滤装置包括：

2.根据权利要求1所述的尾气过滤装置，其特征在于，还包括与所述冷凝段连接并内部相通的颗粒过滤段，所述引导通道另一端与所述颗粒过滤段内相通。

3.根据权利要求1所述的尾气过滤装置，其特征在于，所述冷凝件包括冷凝盘管。

4.根据权利要求1所述的尾气过滤装置，其特征在于，所述第一端部与所述冷凝件的靠近所述入口段的一端部之间的径向距离l大于等于70mm，小于等于85mm。

5.根据权利要求1或4所述的尾气过滤装置，其特征在于，l1与l2的比值范围为1～1.5；

6.根据权利要求1所述的尾气过滤装置，其特征在于，所述入口段包括位于所述第一端部和所述第二端部之间的筒体，所述筒体的内径...

【专利技术属性】
技术研发人员：李中云，丁润发，王海柱，
申请(专利权)人：申集半导体科技徐州有限公司，
类型：新型
国别省市：