本申请提供了一种基座和半导体加工设备。基座包括基座主体、凹穴、驱动气体输送通道、导流槽、集气槽、排气口和排气管道；导流槽设置于凹穴的底面，导流槽包括靠近凹穴中心的至少一近端部和朝向凹穴边缘延伸的至少一远端部；集气槽设置于凹穴的底面，与远端部对应设置，以阻挡自远端部外溢的至少部分所述驱动气体；排气口设置于凹穴的底面，与远端部对应设置，位于集气槽的外边缘所围区域内；排气管道设于基座主体，位于凹穴下方，一端与排气口相通。本申请能够不影响气垫对基片的旋转驱动作用的同时，减少或避免因构成气垫的驱动气体从凹穴和基片之间的间隙外逸对基片上方工艺反应区域的不利影响，有利于提高基片上所成膜的质量和均匀性。
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，尤其涉及一种基座和半导体加工设备。
技术介绍
1、第三代半导体，以碳化硅sic、氮化镓gan为代表，因其优异的材料性能，在高温、高压、高频、高功率等应用场景中展现出巨大潜力，正在推动能源、交通、通信等领域的变革。该类半导体材料通常利用半导体的制造设备以热分解反应方式在基片上进行外延生长，从而实现半导体器件各功能层质量的精密外延控制。
2、半导体的制造设备内设置有基座，基座的凹穴中承载基片，基座上方的气体注入装置提供晶体生长源材料以在基片表面进行外延生长。现有技术中，为提高基片表面的温度均匀性以及晶体生长源材料在基片表面附近的混合均匀性以有利于成膜质量和均匀性，通常在基座中设置气道，在凹穴底面设置导流槽，以通过气道向导流槽引入驱动气体，在基片下方形成气垫，从而将基片抬高并使之旋转。
3、考虑到基片表面成膜后需从基座中的转移，凹穴和基片之间存在间隙，驱动气体不可避免会通过该间隙外逸至基片上方的工艺反应区域，会扰乱工艺气体流场，造成工艺气体被稀释，从而影响基片上所成膜的质量和均匀性。
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【技术保护点】
1.一种基座，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述导流槽还包括位于所述近端部和对应的所述远端部之间的导流段部，所述导流槽自所述集气槽的两端部之间的区域延伸入所述集气槽所包围的区域，使所述集气槽的一部分位于所述远端部和沿径向与所述远端部相邻的导流段部之间，一部分位于所述远端部和所述凹穴的底面边缘之间。
3.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述导流槽还包括位于所述近端部和对应的所述远端部之间的导流段部，定义由所述近端部指向所述远端部并沿所述导流槽旋向延伸的气流涡线，以所述气流涡线的终点为圆心并与所述凹穴的底面边缘相切的第一相切圆，当...
【技术特征摘要】
1.一种基座，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述导流槽还包括位于所述近端部和对应的所述远端部之间的导流段部，所述导流槽自所述集气槽的两端部之间的区域延伸入所述集气槽所包围的区域，使所述集气槽的一部分位于所述远端部和沿径向与所述远端部相邻的导流段部之间，一部分位于所述远端部和所述凹穴的底面边缘之间。
3.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述导流槽还包括位于所述近端部和对应的所述远端部之间的导流段部，定义由所述近端部指向所述远端部并沿所述导流槽旋向延伸的气流涡线，以所述气流涡线的终点为圆心并与所述凹穴的底面边缘相切的第一相切圆，当沿径向与所述远端部相邻的导流段部与所述第一相切圆的交点数量为0，所述集气槽设置在所述第一相切圆在所述凹穴底面的正投影所围区域内。
4.根据权利要求3所述的基座，其特征在于，定义以所述气流涡线的终点为圆心并与沿径向与所述远端部相邻的导流段部相切的第二相切圆，当所述第二相切圆位于所述第一相切圆内，所述集气槽设置在所述第二相切圆在所述凹穴底面的正投影所围区域内。
5.根据权利要求4所述的基座，其特征在于，所述第二相切圆的半径为r，定义以所述气流涡线的终点为圆心，以0.5r为半径的定位圆，所述集气槽设置在所述定位圆在所述凹穴底面的正投影所围区域内。
6.根据权利要求3所述的基座，其特征在于，所述气流涡线为所述导流槽的涡线，所述气流涡线的终点为所述气流涡线与所述远端部的端面的交点。
7.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述排气管道包括相连通的气体引流段部和排气段部，所述气体引流段部的内径大于所述排气段部的内径。
8.根据权利要求7所述的基座，其特征在于，当所述气体引流段部设置于所述排气口和所述排气段部之间，所述气体引流段部的内径沿朝向...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐春阳，张志明，邢志刚，巩前程，陈凯辉，
申请(专利权)人：申集半导体科技徐州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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