【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及但不限于半导体技术，尤指一种半导体器件及其制造方法、电子设备。
技术介绍
1、随着集成电路技术的发展，器件的关键尺寸日益缩小，单个芯片所包含的器件种类及数量随之增加，使得工艺生产中的任何微小差异都可能对器件性能造成影响。
2、为了尽可能降低产品的成本，人们希望在有限的衬底上做出尽可能多的器件单元。自从摩尔定律问世以来，业界提出了各种半导体结构设计和工艺优化，以满足人们对当前产品的需求。
技术实现思路
1、以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制本申请的保护范围。
2、在一方面，本申请的示例性实施方式提供了一种半导体器件，包括：
3、在衬底上沿着垂直于所述衬底的方向间隔堆叠的多层存储单元；
4、所述存储单元包括晶体管，所述晶体管包括朝向所述衬底的方向延伸的栅极、至少部分环绕所述栅极的侧壁的半导体层以及位于所述栅极和所述半导体层之间的栅极绝缘层；
5、所述晶体管还包括第一源/漏极和第二源/漏极以及保护层，...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述保护层与所述半导体层接触，且与所述第一源/漏极和第二源/漏极接触。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述保护层的材料包括TiN或ITO。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述保护层环绕所述半导体层，且在环绕所述半导体层的周向上，所述保护层分隔成两部分，第一部分与所述第一源/漏极接触，第二部分与所述第二源/漏极接触。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，不同层的存储单元的所述半导体层相互分...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述保护层与所述半导体层接触，且与所述第一源/漏极和第二源/漏极接触。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述保护层的材料包括tin或ito。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述保护层环绕所述半导体层，且在环绕所述半导体层的周向上，所述保护层分隔成两部分，第一部分与所述第一源/漏极接触，第二部分与所述第二源/漏极接触。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，不同层的存储单元的所述半导体层相互分离；不同层的所述存储单元的所述保护层之间断开。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，还包括字线孔以及位于所述字线孔内分布于不同层的横向凹槽，所述横向凹槽的内壁朝向字线的方向依次分布有所述保护层和所述半导体层，所述保护层的所述第一部分和第二部分环绕所述半导体层的侧壁；
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，不同层堆叠的所述存储单元的各所述晶体管共用一条字线，各所述晶体管的所述栅极是所对应的所述字线的一部分；所述字线包括沿着朝向所述衬底的方向延伸的竖直部以及从所述竖直部向平行于所述衬底的方向伸出的伸出部；所述半导体层、所述保护层依照所...
【专利技术属性】
技术研发人员：关超阳，田超，刘健，韩宝东，桂文华，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
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