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本申请涉及一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件包括在衬底上沿着垂直于衬底的方向间隔堆叠的多层存储单元；存储单元包括晶体管，晶体管包括朝向衬底的方向延伸的栅极、至少部分环绕栅极的侧壁的半导体层以及位于栅极和半导体层之间的栅极绝缘...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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