电子装置的制造方法制造方法及图纸

技术编号:45849501 阅读:15 留言:0更新日期:2025-07-19 11:10
本发明专利技术提供一种电子装置的制造方法,其包括以下步骤:提供第一基板,电子元件设置在第一基板上;检查第一基板上的电子元件的至少一部分,以识别出第一瑕疵电子元件以及第一正常电子元件;将第一正常电子元件从第一基板选择性地转移至第二基板的第一位置;以及将第二正常电子元件转移至第二基板的第二位置,第二位置对应于第一基板上的第一瑕疵电子元件的位置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电子装置的制造方法,特别是涉及一种能够提高制造良率的电子装置的制造方法。


技术介绍

1、随着电子装置的演进与发展,电子装置在现今社会中已成为不可或缺的物品。举例而言,电子装置中的显示装置可具有显示功能,以提供信息传递及/或影像显示。

2、在电子装置的制造过程中,可通过转移制程(transfer process)将电子元件设置在基板上,以提升电子装置的制造速度与产量。然而,在电子元件微型化的趋势下,通过转移制程设置的电子元件的良率会随着电子元件的尺寸降低而下降,使得电子装置的良率降低。因此,需要对电子装置的制造方法进行改良,以改善电子装置的良率。


技术实现思路

1、本专利技术的目的是在于提供一种电子装置的制造方法。

2、本专利技术提供一种电子装置的制造方法,其包括以下步骤:提供第一基板,电子元件设置在第一基板上;检查第一基板上的电子元件的至少一部分,以识别出第一瑕疵电子元件以及第一正常电子元件;将第一正常电子元件从第一基板选择性地转移至第二基板的第一位置;以及将第二正常本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电子装置的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,将所述第一正常电子元件选择性地转移的步骤是通过一激光转移制程来进行的。

3.如权利要求2所述的制造方法,其特征在于,所述激光转移制程包括:

4.如权利要求2所述的制造方法,其特征在于,所述激光转移制程包括:

5.如权利要求4所述的制造方法,其特征在于,与所述第一基板分离的所述第一正常电子元件的数量大于1。

6.如权利要求2所述的制造方法,其特征在于,在将所述第一正常电子元件选择性地转移的步骤之前,所述制造方法包括以下步骤:

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【技术特征摘要】

1.一种电子装置的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,将所述第一正常电子元件选择性地转移的步骤是通过一激光转移制程来进行的。

3.如权利要求2所述的制造方法,其特征在于,所述激光转移制程包括:

4.如权利要求2所述的制造方法,其特征在于,所述激光转移制程包括:

5.如权利要求4所述的制造方法,其特征在于,与所述第一基板分离的所述第一正常电子元件的数量大于1。

6.如权利要求2所述的制造方法,其特征在于,在将所述第一正常电子元件选择性地转移的步骤之前,所述制造方法包括以下步骤:

7.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,将所述第一正常电子元件选择性地转移的步骤包括:

8.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,将所述第二正常电子元件转移的步骤是通过另一激光转移制程来进行的。

9.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,将所述第二正常电子元件转移的步骤是通过一打印转移制程来进行的。

10.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述制造方法还包括以下步骤:

11.如权利要求10所述的制造方法,...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈嘉源蔡宗翰李冠锋
申请(专利权)人:群创光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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