表面发射激光器及其制备方法技术

本申请实施例涉及一种表面发射激光器及其制备方法。该表面发射激光器，包括衬底和设于衬底上的谐振腔结构；谐振腔结构包括依次位于衬底上的第一反射镜层、有源层、和第二反射镜层；第二反射镜层中形成有光电限制层，光电限制层为多边形环状结构，且光电限制层内环包括至少三个内角；以及第二反射镜层中还包括倾斜柱体的非离子注入区域，倾斜柱体的非离子注入区域与光电限制层内环的至少三个内角中的至少一个内角不重合；第二反射镜层中，倾斜柱体的非离子注入区域外的区域为离子注入区域。本申请通过在第二反射镜层中形成倾斜柱体的非离子注入区域；使得对应光电限制层的电流集中情况被破坏，提高器件的反向耐击穿电压能力。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及半导体激光器，特别是涉及表面发射激光器及其制备方法。

技术介绍

1、表面发射激光器（vcsel）是一种新型的半导体激光器，其特点是体积小、阈值电流低、易于二维集成等，广泛应用于光通信、光互连等领域。

2、然而，vcsel器件的反向抗击穿电压仍是一个需要改进的技术指标。提高反向抗击穿电压不仅可以增强器件的可靠性，还能扩展其应用范围。

3、上述内容仅用于辅助理解本专利技术的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

技术实现思路

1、本专利技术的主要目的在于提供了一种表面发射激光器及其制备方法，旨在解决现有技术中上述技术问题。

2、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种表面发射激光器及其制备方法。

3、第一方面，本申请提供一种表面发射激光器，包括衬底和设于衬底上的谐振腔结构；

4、所述谐振腔结构包括依次位于所述衬底上的第一反射镜层、有源层、和第二反射镜层；

5、所述第二反射镜层中形成有光电限制层，所述光电限制层为多边形环状结本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种表面发射激光器，其特征在于，包括衬底和设于衬底上的谐振腔结构；

2.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其特征在于，所述光电限制层内环的形状包括非规则多边形或正多边形；

3.根据权利要求2所述的表面发射激光器，其特征在于，所述第二反射镜层上还包括C形接触金属垫，且所述C形接触金属垫的开口朝向所述第一内角，所述第一内角为所述倾斜柱体的非离子注入区域与所述光电限制层相交的区域中所述光电限制层内环的一个内角。

4.根据权利要求2所述的表面发射激光器，其特征在于，所述倾斜柱体的非离子注入区域远离所述有源层在所述第二反射镜层表面的形状在所述光电限制层的投...

【技术特征摘要】

1.一种表面发射激光器，其特征在于，包括衬底和设于衬底上的谐振腔结构；

2.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其特征在于，所述光电限制层内环的形状包括非规则多边形或正多边形；

3.根据权利要求2所述的表面发射激光器，其特征在于，所述第二反射镜层上还包括c形接触金属垫，且所述c形接触金属垫的开口朝向所述第一内角，所述第一内角为所述倾斜柱体的非离子注入区域与所述光电限制层相交的区域中所述光电限制层内环的一个内角。

4.根据权利要求2所述的表面发射激光器，其特征在于，所述倾斜柱体的非离子注入区域远离所述有源层在所述第二反射镜层表面的形状在所述光电限制层的投影区域不包括所述光电限制层内环的任何内角。

5.根据权利要求4所述的表面发射激光器，其特征在于，所述光电限制层内环的形状为正多边形，所述倾斜柱体的非离子注入区域远离所述有源层在所述第二反...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅攀，张杨，袁江缘，王立，
申请(专利权)人：杭州开幕光子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：