【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及半导体激光器，特别是涉及一种表面发射激光器、光发射组件及光模块。
技术介绍
1、表面发射激光器，例如垂直腔面发射激光器（vcsel）的调制带宽，不仅与弛豫振荡频率和阻尼等本征因素相关，还与非本征的电寄生截止频率相关，当激光器弛豫振荡频率较大时，其动态特性主要受限于电寄生截止频率，因此，器件设计上应尽可能的降低电寄生效应，提高电寄生截止频率。而电寄生截止频率主要由上dbr空穴输运引起的串联电阻，氧化层引入的寄生电容以及较大的焊盘电容等因素决定。
2、因此，如何改善vcsel的动态特性是目前亟需解决的难题。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种表面发射激光器、光发射组件及光模块。
2、第一方面，本申请提供一种表面发射激光器，包括：
3、衬底；
4、设于所述衬底上的底部反射镜结构、活性层和顶部反射镜结构；
5、其中，所述顶部反射镜结构中形成有若干氧化限制层，部分所述氧化限制层的厚度与其余部分所述氧化...
【技术保护点】
1.一种表面发射激光器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其特征在于，沿远离所述活性层的方向，各所述氧化限制层被划分为多组，且每组所述氧化限制层的氧化深度基本相同，不同组的所述氧化限制层的氧化深度不同。
3.根据权利要求2所述的表面发射激光器，其特征在于，沿远离所述活性层的方向，不同组的所述氧化限制层的氧化深度逐渐减小。
4.根据权利要求2所述的表面发射激光器，其特征在于，最靠近所述活性层的一组所述氧化限制层用于限定所述表面发射激光器的发光孔径；且该组氧化限制层中，距离所述活性层最远和最近的氧化限制层的厚度...
【技术特征摘要】
1.一种表面发射激光器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其特征在于，沿远离所述活性层的方向，各所述氧化限制层被划分为多组，且每组所述氧化限制层的氧化深度基本相同，不同组的所述氧化限制层的氧化深度不同。
3.根据权利要求2所述的表面发射激光器，其特征在于，沿远离所述活性层的方向，不同组的所述氧化限制层的氧化深度逐渐减小。
4.根据权利要求2所述的表面发射激光器，其特征在于，最靠近所述活性层的一组所述氧化限制层用于限定所述表面发射激光器的发光孔径；且该组氧化限制层中，距离所述活性层最远和最近的氧化限制层的厚度与该组中其余氧化限制层的厚度不同。
5.根据权利要求4所述的表面发射激光器，其特征在于，最靠近所述活性层的一组氧化限制层中，距离所述活性层最远和最近的氧化限制层的厚度小于该组中其余氧化限制层的厚度。
6.根据权利要求5所述的表面发射激光器，其特征在于，最靠近所述活性层的一组氧化限制层中，厚度较厚的氧化限制层用于限定所述表面发射激光器的发光孔径。...
【专利技术属性】
技术研发人员：莫庆伟，陈浩，刘点昊，祁鲁汉，张杨，
申请(专利权)人：杭州开幕光子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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