半导体激光器、光发射组件及光模块制造技术

本申请实施例涉及一种半导体激光器、光发射组件及光模块。其中，半导体激光器包括衬底；底部反射镜结构，设于所述衬底上；有源层，设于所述底部反射镜结构上；顶部反射镜结构，设于所述有源层上，所述顶部反射镜结构和所述底部反射镜结构限定一谐振腔；以及光子寿命调控层，设于所述顶部反射镜结构上，所述光子寿命调控层被设置为调控所述谐振腔的光子寿命。通过本申请的上述方案，可以实现半导体激光器的光子寿命调控，可有效提升半导体激光器的弛豫振荡频率。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及半导体激光器，特别是涉及半导体激光器、光发射组件及光模块。

技术介绍

1、当前，数据中心已成为 5g、物联网等新型通信网络，及互联网、云计算和人工智能等领域的基本载体，承载着全球 99%的数据流量，是我国未来实现工业互联网、企业上云、边缘计算等创新应用，以及数字化转型的支撑技术。随着 5g、人工智能(ai)、物联网、vr/ar等新技术的快速普及应用，爆发式增长的数据流量对带宽的要求持续增加，以太网速度由400gbe 向 800gbe 推进，预计到 2025年突破 1tbe 技术壁垒，推动着数据中心代际更迭，以 850nm垂直腔面发射激光器 （vcsel）为载体的光互连因其高传输速率、低功耗、抗干扰能力强等优势，已成为数据中心内部机房间、机架间、板级间等的近距离数据传输的标准解决方案。

2、vcsel 具有调制速度高、易与光纤耦合、低功耗等优势成为短距离光互连的首选光源，是决定光模块单通道速率的最关键技术，其传输速率提升核心难点在于如何从相互制约的可靠性、和速率提升所需的高微分增益，低载流子输运因子，精确匹配微腔阻尼和热效应管理等本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体激光器，其特征在于，包括

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述光子寿命调控层包括一光子寿命调控子层；

3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述光子寿命调控子层包括III-V族材料，所述III-V族材料包括GaAs材料。

5.根据权利要求4所述的半导体激光器，其特征在于，所述折射率补偿层为SiN。

6.根据权利要求5所述的半导体激光器，其特征在于，所述光子寿命调控子层的厚度介于50nm至120nm之间；所述折射率补偿层的厚度介...

【技术特征摘要】

1.一种半导体激光器，其特征在于，包括

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述光子寿命调控层包括一光子寿命调控子层；

3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述光子寿命调控子层包括iii-v族材料，所述iii-v族材料包括gaas材料。

5.根据权利要求4所述的半导体激光器，其特征在于，所述折射率补偿层为sin。

6.根据权利要求5所述的半导体激光器，其特征在于，所述光子寿命调控子层的厚度介于50nm至120nm之间；所述折射率补偿层的厚度介于130nm至400nm之间。

7.根据权利要求6所述的半导体激光器，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：莫庆伟，陈浩，刘点昊，张杨，
申请(专利权)人：杭州开幕光子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：