存储器装置及操作方法、系统及操作方法和存储介质制造方法及图纸

技术编号:45840784 阅读:17 留言:0更新日期:2025-07-19 11:05
本公开实施例公开了一种存储器装置及操作方法、存储器系统及操作方法和存储介质,涉及半导体技术领域,能够降低掉电过程中存储器装置进行数据存储的负担和数据丢失的几率,提高数据恢复精度。该存储器装置的存储单元在执行第一编程操作之后被编程到第一存储态,在执行第二编程操作之后第一存储态的数据被编程到第二存储态。第一存储态的阈值电压分布宽度大于第二存储态的阈值电压分布宽度。外围电路用于响应于第二编程操作过程中掉电后的再次上电,根据第一编程操作后第一存储态及标识信息,确定第二编程操作对应的第二存储态。和重新进行第二编程操作,以使存储单元被编程到第二存储态。

【技术实现步骤摘要】

本公开实施例涉及半导体技术,涉及但不限于一种存储器装置及操作方法、存储器系统及操作方法和存储介质。


技术介绍

1、半导体存储器可以粗略地划分成两类,这取决于它们在断电时是否保留存储的数据。这两类半导体存储器是:易失性存储器和非易失性存储器,易失性存储器在断电时丢失存储的数据,非易失性存储器在断电时保留存储的数据。

2、而在非易失性存储器异常掉电过程中,存在部分粗编程数据未存储完成,以及,未存储的粗编程数据量较大,影响细编程数据的效率,导致数据丢失而无法进行恢复的问题。


技术实现思路

1、有鉴于此,本公开实施例提供一种存储器装置及操作方法、存储器系统及操作方法和存储介质,能够降低掉电过程中存储器装置进行数据存储的负担,降低数据丢失的几率,有利于提高数据恢复的效果。

2、第一方面,本公开实施例提供一种存储器装置。所述存储器装置包括存储单元阵列和外围电路。存储单元阵列包括多个存储单元。所述存储单元在执行第一编程操作之后被编程到第一存储态,在执行第二编程操作之后所述第一存储态的数据被编程到第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的存储器装置,其特征在于,所述外围电路被配置为:

3.根据权利要求2所述的存储器装置,其特征在于,所述存储单元阵列包括多个存储块,所述外围电路被配置为:

4.根据权利要求2所述的存储器装置,其特征在于,所述存储单元的存储位数包括多位,多个存储位对应多个存储态;

5.根据权利要求4所述的存储器装置,其特征在于,所述存储单元的存储位数包括M位,M个存储位对应2M个存储态;所述标识信息包括N位数据,所述标识信息的值包括2N种数据状态;所述M、N均为正整数;

<p>6.根据权利要求...

【技术特征摘要】

1.一种存储器装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的存储器装置,其特征在于,所述外围电路被配置为:

3.根据权利要求2所述的存储器装置,其特征在于,所述存储单元阵列包括多个存储块,所述外围电路被配置为:

4.根据权利要求2所述的存储器装置,其特征在于,所述存储单元的存储位数包括多位,多个存储位对应多个存储态;

5.根据权利要求4所述的存储器装置,其特征在于,所述存储单元的存储位数包括m位,m个存储位对应2m个存储态;所述标识信息包括n位数据,所述标识信息的值包括2n种数据状态;所述m、n均为正整数;

6.根据权利要求5所述的存储器装置,其特征在于,所述存储单元的所述2m个存储态包括:

7.根据权利要求6所述的存储器装置,其特征在于,所述外围电路被配置为:

8.根据权利要求7所述的存储器装置,其特征在于,每个区间包含的所述第一阈值电压分布的数量相同或不同;部分所述第一阈值电压分布的范围跨越一阶所述读取电压的两侧。

9.根据权利要求7所述的存储器装置,其特征在于,所述p阶读取电压包括电压值逐渐增大的第1阶至第p阶读取电压;所述p+1个区间包括第1至第p+1区间;所述外围电路被配置为:

10.根据权利要求9所述的存储器装置,其特征在于,所述存储单元的存储位数包括4位,4个存储位对应16个存储态,所述标识信息的值包括4种数据状态;所述外围电路被配置为:

11.根据权利要求10所述的存储器装置,其特征在于,所述外围电路包括页缓存器,所述页缓存器包括多个锁存器;所述外围电路被配置为:

12.根据权利要求1所述的存储器装置,其特征在于,所述存储单元阵列包括多条字线,一条所述字线与多个所述存储单元耦接;

13.根据权利要求12所述的存储器装置,其特征在于,所述多条字线包括物理位置连续设置的第q条字线、第q+1条字线、第q+2条字线及第q+3条字线;所述q为自然数;

14.一种存储器装置的操作方法,其特征在于,包括:

15.一种存储器系统,其特征在于,包括:

16.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:邓佳梁段竺琴
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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