半导体器件及电极的制作方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件及电极的制作方法，该电极的制作方法包括以下步骤：提供一上表层形成有层间介质层的半导体结构，层间介质层的下方设有至少一电接触区；依次形成覆盖层间介质层上表面的研磨停止层及遮蔽层，并图案化遮蔽层；基于遮蔽层形成贯穿研磨停止层及层间介质层的接触孔；形成填充接触孔并覆盖研磨停止层上表面的电极材料层，去除层间介质层正上方的所述电极材料层，以得金属电极，研磨过程中基于涡流信号控制研磨结束且研磨液对电极材料层与研磨停止层选择率不同。本发明专利技术通过在形成遮蔽层之前形成覆盖层间介质层上表面的研磨停止层并基于涡流信号控制研磨结束，避免了研磨过度及研磨不足的问题，提升了金属电极的良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路制造领域，涉及一种半导体器件及电极的制作方法。

技术介绍

1、目前，制作金属栅mos器件的钨电极的过程中，在形成填充接触孔并覆盖晶圆上表面的钨层之后，需要用化学机械研磨(cmp)工艺去除覆盖晶圆上表面的钨层，如图1所示，为形成钨层后的晶圆的剖面结构示意图，包括晶圆01、层间介质层011、互连金属层012、源漏掺杂区0121、金属栅层0122、接触孔013、钨缝014、钨电极02、扩散阻挡层021及钨层022，在去除晶圆上表面的钨层和扩散阻挡层时，通常是设定固定的研磨时长进行研磨，这种方法控制能力较差，容易造成研磨不足或者研磨过度，继而造成返工或者钨缝露出的风险，影响钨电极的制作效率及良率，如图2所示，为图1中结构研磨去除钨层后的钨电极高度统计结果图，其中，为正常层间介质层的厚度，层间介质层超出则是研磨不足需要返工，层间介质层低于则是研磨过度，会造成钨缝显露。

2、因此，急需寻找一种能够金属电极cmp控制能力的电极的制作方法。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电极的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的电极的制作方法，其特征在于：所述半导体结构中包括至少一栅结构，所述层间介质层覆盖所述栅结构的显露表面，至少一所述电接触区位于所述栅结构的上表面。

3.根据权利要求2所述的电极的制作方法，其特征在于：所述栅结构包括栅介质层及金属栅层，所述电接触区位于所述金属栅层的上表面。

4.根据权利要求1所述的电极的制作方法，其特征在于：所述研磨停止层的材质包括氮化硅。

5.根据权利要求1所述的电极的制作方法，其特征在于：所述研磨停止层的厚度范围为

6.根据权利要求1所...

【技术特征摘要】

1.一种电极的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的电极的制作方法，其特征在于：所述半导体结构中包括至少一栅结构，所述层间介质层覆盖所述栅结构的显露表面，至少一所述电接触区位于所述栅结构的上表面。

3.根据权利要求2所述的电极的制作方法，其特征在于：所述栅结构包括栅介质层及金属栅层，所述电接触区位于所述金属栅层的上表面。

4.根据权利要求1所述的电极的制作方法，其特征在于：所述研磨停止层的材质包括氮化硅。

5.根据权利要求1所述的电极的制作方法，其特征在于：所述研磨停止层的厚度范围为

6....

【专利技术属性】
技术研发人员：李韦坤，李昱廷，
申请(专利权)人：重庆芯联微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：