【技术实现步骤摘要】
本公开文本涉及在衬底上进行薄膜生成等处理的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。
技术介绍
1、关于半导体器件的制造方法，作为用于在衬底(以下称为晶片)上形成氧化膜、金属膜的装置，有时使用纵型衬底处理装置。另外，存在下述衬底处理装置：具备多个对晶片进行保持的晶舟、对晶片进行处理的处理室，针对各处理室依次进行晶舟的搬入搬出，并对晶片进行处理。
2、在以往的衬底处理装置中，需要在衬底处理装置的周边(例如侧方)确保用于进行各机构维护的维护区域。因此，由于还需要考虑维护区域来设置，因而衬底处理装置的设置所需的占用空间变大，coo(cost of owenership：购置成本)也升高。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本专利第6484601号公报
6、专利文献2：wo19/172274号公报
7、专利文献3：日本特开2012-099763号公报
8、专利文献4：wo18/003072号公报
技术实现思路
...【技术保护点】
1.衬底处理装置，其包括：具有处理室的处理组件；排气装置，其对该处理室进行排气；排气管，其使所述处理室与所述排气装置连通；配管壳体，其支承该排气管；以及减振性的第1紧固件，其将所述排气装置与所述配管壳体之间连结，
2.衬底处理装置，其包括：
【技术特征摘要】
1.衬底处理装置，其包括：具有处理室的处理组件；排气装置，其对该处理室进行排气；排气管，其使所述处理室与所述排气装置连通；配管...
【专利技术属性】
技术研发人员：上村大义，谷山智志，白子贤治，嶋田宽哲，堀井明，中田高行，山岛规裕，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：
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