【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开总体上涉及磁制冷,更具体地涉及一种利用磁热材料(mcm)部件和珀尔帖模块(peltier module)来进行磁制冷的装置和方法。
技术介绍
1、磁制冷是用于使用磁场来冷却物质(诸如固体材料、液体或气体)的技术。与其他现有技术(例如,用于冷却物质的蒸汽压缩技术)相比,磁制冷是有前途的环境友好的技术。磁制冷以磁热效应原理工作,其中磁热材料(mcm)(其温度可以通过在mcm上施加磁场来控制)用于制冷。
2、使用mcm的约束之一是,mcm在施加合理可达的磁场强度(例如,1-2特斯拉)下,具有相对较小的温度变化(例如,大约5开尔文)。而且,从实现方面来讲,mcm是可能不太容易在两个空间分离的环境之间移动的固体制冷剂,因此,为了在mcm之间引导热流,mcm需要联合其他机制。
3、mcm可以用于各种应用中,诸如采暖通风及空调(hvac)系统。家里使用的hvac系统可以包括例如将基于mcm的磁冷却装置用于冷却目的的冰箱。常规的磁冷却装置涉及使用通过mcm在冷环境和热环境之间流动的工作流体,从而在热环境和冷环境之间交换热量
...【技术保护点】
1.一种用于磁制冷的装置,包括:
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述分层结构中的第一层是所述多个MCM部件的序列中的第一MCM部件,所述分层结构中的最后一层是所述多个MCM部件的序列中的最后的MCM部件。
3.根据权利要求2所述的装置,其中所述多个MCM部件的序列中的至少所述第一MCM部件和所述最后的MCM部件拥有多孔结构。
4.根据权利要求2所述的装置,其中所述多个MCM部件的序列中的至少所述第一MCM部件和所述最后的MCM部件耦接到冷却单元,其中所述冷却单元包括以下中的至少一个:管道、工作流体和热交换器。
5.根
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于磁制冷的装置,包括:
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述分层结构中的第一层是所述多个mcm部件的序列中的第一mcm部件,所述分层结构中的最后一层是所述多个mcm部件的序列中的最后的mcm部件。
3.根据权利要求2所述的装置,其中所述多个mcm部件的序列中的至少所述第一mcm部件和所述最后的mcm部件拥有多孔结构。
4.根据权利要求2所述的装置,其中所述多个mcm部件的序列中的至少所述第一mcm部件和所述最后的mcm部件耦接到冷却单元,其中所述冷却单元包括以下中的至少一个:管道、工作流体和热交换器。
5.根据权利要求2所述的装置,其中所述多个mcm部件的序列中的所述第一mcm部件或所述最后的mcm部件经由风扇接收用于冷却的空气。
6.根据权利要求1所述的装置,其中所述分层结构中的第二层是第一珀尔帖模块,所述分层结构中的第三层是第二mcm部件,所述分层结构中的第四层是第二珀尔帖模块,并且其中所述第二mcm部件夹在所述第一珀尔帖模块和所述第二珀尔帖模块之间。
7.根据权利要求1所述的装置,其中所述多个mcm部件中的每个mcm部件均由钆合金组成。
8.根据权利要求1所述的装置,其中基于所述多个mcm部件的序列中的第一mcm部件和最后的mcm部件之间的所需温差来确定所述多个mcm部件的序列中的mcm部件的数量。
9.根据权利要求1所述的装置,其中所述多个珀尔帖模块中的每个珀尔帖模块均包括与p掺杂半导体电连接的n掺杂半导体,所述p掺杂半导体与所述n掺杂半导体并联布置。
10.根据权利要求9所述的装置,其中所述n掺杂半导体和所述p掺杂半导体是以下中的至少一个:基于硅的半导体或基于碲化铋的半导体。
11.根据权利要求1所述的装置,其中所...
【专利技术属性】
技术研发人员:林重维,王炳南,W·韦特林,殿冈俊,小笠原敦,
申请(专利权)人:三菱电机株式会社,
类型:发明
国别省市:
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