一种渐变AlGaN终端结构的横向肖特基二极管及其制备方法技术

本申请涉及功率半导体技术领域，具体公开了一种渐变AlGaN终端结构的横向肖特基二极管及其制备方法。本申请在传统场板横向肖特基二极管的基础上，将AlGaN层划分为AlGaN势垒层和Al<subgt;x→y</subgt;Ga<subgt;1‑x→1‑y</subgt;N终端层，且Al<subgt;x→y</subgt;Ga<subgt;1‑x→1‑y</subgt;N终端层结构中的Al元素含量可调节设置，使极化效应下生成带有负电特性的极化体电荷，形成类“虚栅”结构，以缓解场板边缘处电场过于集中的现象，从而优化电场分布，提高器件的耐压性；还采用了Al<subgt;x→y</subgt;Ga<subgt;1‑x→1‑y</subgt;N终端层部分覆盖或全覆盖AlGaN势垒层上表面的结构，减少AlGaN/GaN界面处二维电子气的消耗，确保横向肖特基二极管仍具备良好的正向导通特性，改善了击穿电压和导通电阻的相互制约的矛盾现象，解决了传统横向肖特基二极管的场板边缘电场过于集中、多场板优化结构工艺复杂的难题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及功率半导体，尤其涉及一种渐变algan终端结构的横向肖特基二极管及其制备方法。

技术介绍

1、在功率整流器中，具有低正向压降的肖特基势垒二极管（sbd）因不存在少数载流子存储效应，同时具备反向恢复时间短、开关速度快的优势，被广泛应用于高频电路、功率电子设备、混频器、检测器等应用。近年来，随着工业生产和生活对于大功率应用需求的逐渐攀升，sbd作为电力系统的关键部分，不仅需满足日益增长的工作电压和工作电流的需求，对于其耐压性能的要求也愈发严苛。

2、sbd在实际的制造过程中常采用平面工艺制造，然而肖特基结的结面并不是理想的平面，存在一定的曲率。这种曲率效应往往由边缘结构导致，会使击穿电压低于同等条件下的平行平面结。为了降低或消除这种曲率平面效应，发展了一系列的结终端技术，如场板（fieldplate，fp）、场限环（field limiting ring，flr）、结终端扩展（junctiontermination extention，jte）、离子注入终端（ion implantation termination）等。其中场板技术是一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种渐变AlGaN终端结构的横向肖特基二极管，包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN层，其特征在于，还包括钝化层和电极层；

2.根据权利要求1所述的渐变AlGaN终端结构的横向肖特基二极管，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的渐变AlGaN终端结构的横向肖特基二极管，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的渐变AlGaN终端结构的横向肖特基二极管，其特征在于：

5.根据权利要求1所述的渐变AlGaN终端结构的横向肖特基二极管，其特征在于：

6.根据权利要求1所述的渐变AlGaN终端结构的横向肖特基二极管...

【技术特征摘要】

1.一种渐变algan终端结构的横向肖特基二极管，包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、gan沟道层、algan层，其特征在于，还包括钝化层和电极层；

2.根据权利要求1所述的渐变algan终端结构的横向肖特基二极管，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的渐变algan终端结构的横向肖特基二极管，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的渐变algan终端结构的横向肖特基二极管，其特征在于：

5.根据权利要求1所述的渐变algan终端结构的横向肖特基二极管，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：张紫辉，何婧婷，黄福平，楚春双，田康凯，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：