一种耐高反向偏压的电荷补偿型肖特基二极管制造技术

本发明专利技术公开了一种耐高反向偏压的电荷补偿型肖特基二极管，所述肖特基二极管包括由下至上依次形成的半绝缘GaAs衬底、GaAs缓冲层、GaAs欧姆接触层、GaAs电场收集层、GaAs电荷补偿层、GaAs肖特基接触层、SiO<subgt;2</subgt;钝化层，以及在欧姆接触层上形成的阴极电极和肖特基接触层上形成的阳极电极。通过在n型GaAs外延层中引入10nm的p型电荷补偿层，调整器件内电场分布，将大部分电场搬移到电场收集区内，同时通过降低电场收集区的掺杂浓度来增大器件内耗尽区宽度并削弱电场强度，使得该肖特基二极管能够承受更高的偏压。本发明专利技术具有耐高反向偏压、低串联电阻、高输出功率等优点，能够显著提升太赫兹倍频器的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太赫兹通信，特别涉及一种耐高反向偏压的电荷补偿型肖特基二极管，适用于太赫兹倍频器等高频电子器件。

技术介绍

1、肖特基势垒二极管因其特有的非线性效应，广泛应用于太赫兹倍频器、混频器、调制器等高频电子器件中。然而，常规的肖特基二极管在反向偏压下，电场分布为三角分布，靠近肖特基接触的电场强度最大，随着反向偏压的增加，电场强度迅速增大，导致器件容易击穿。gaas(砷化镓)材料的临界击穿电场强度为4×105kv/cm，当反向偏压大于3v时，常规器件内的最大电场强度便超过了临界电场强度，导致反向击穿电压较低，限制了太赫兹倍频器的性能。此外，虽然gan材料的肖特基二极管具有较高的反向击穿电压，但其串联电阻较大，限制了太赫兹倍频器的效率。

技术实现思路

1、本专利技术为了解决现有技术中肖特基二极管反向击穿电压低、串联电阻大的问题，设计了一种耐高反向偏压的电荷补偿型肖特基二极管。通过在n型gaas外延层中引入10nm的p型电荷补偿层，调整器件内电场分布，将大部分电场搬移到电场收集区内，同时通过降低电场收集区的掺本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种耐高反向偏压的电荷补偿型肖特基二极管，其特征在于：包括由下至上依次形成的半绝缘GaAs衬底、GaAs缓冲层、GaAs欧姆接触层、GaAs电场收集层、GaAs电荷补偿层、GaAs肖特基接触层、SiO2钝化层，以及在欧姆接触层上形成的阴极电极和肖特基接触层上形成的阳极电极。

2.根据权利要求1所述的耐高反向偏压的电荷补偿型肖特基二极管，其特征在于：所述的GaAs缓冲层为n型掺杂。

3.根据权利要求1所述的耐高反向偏压的电荷补偿型肖特基二极管，其特征在于：所述的GaAs欧姆接触层为n型掺杂。

4.根据权利要求1所述的耐高反向偏压的电荷补偿型肖特基二极...

【技术特征摘要】

1.一种耐高反向偏压的电荷补偿型肖特基二极管，其特征在于：包括由下至上依次形成的半绝缘gaas衬底、gaas缓冲层、gaas欧姆接触层、gaas电场收集层、gaas电荷补偿层、gaas肖特基接触层、sio2钝化层，以及在欧姆接触层上形成的阴极电极和肖特基接触层上形成的阳极电极。

2.根据权利要求1所述的耐高反向偏压的电荷补偿型肖特基二极管，其特征在于：所述的gaas缓冲层为n型掺杂。

3.根据权利要求1所述的耐高反向偏压的电荷补偿型肖特基二极管，其特征在于：所述的gaas欧姆接触层为n型掺杂。

4.根据权利要求1所述的耐高反向偏压的电荷补偿型肖特基二极管，其特征在于：所述的gaas电场收集层为n型掺杂。

5.根据权利要求1所述的耐高反向偏压的电荷补偿型肖特基二极管，其特征在于：所述的gaas电荷补偿层为p型掺杂。

6.根据权利要求1所述的耐高反向偏压的电荷补偿型肖特基二极管，其特征在于：所述的gaas肖特基接触层为n型掺杂。

7.根据权利要求1所述的耐...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁纬方，梁华杰，邹林，姜涛，游伟，张雅鑫，
申请(专利权)人：电子科技大学长三角研究院湖州，
类型：发明
国别省市：