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本发明公开了一种耐高反向偏压的电荷补偿型肖特基二极管，所述肖特基二极管包括由下至上依次形成的半绝缘GaAs衬底、GaAs缓冲层、GaAs欧姆接触层、GaAs电场收集层、GaAs电荷补偿层、GaAs肖特基接触层、SiO<subgt;2&...
该专利属于电子科技大学长三角研究院（湖州）所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学长三角研究院（湖州）授权不得商用。

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