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本申请涉及功率半导体技术领域，具体公开了一种渐变AlGaN终端结构的横向肖特基二极管及其制备方法。本申请在传统场板横向肖特基二极管的基础上，将AlGaN层划分为AlGaN势垒层和Al<subgt;x→y</subgt;Ga<...
该专利属于广东工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过广东工业大学授权不得商用。

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