【技术实现步骤摘要】
本技术涉及单晶炉，具体涉及一种单晶炉用下测温坩埚升降装置。
技术介绍
1、单晶炉在生产单晶硅的过程中，对温度的控制非常关键，下测温坩埚升降装置是用于实时通过上下升降对单晶炉进行温度测量的装置，其对于确保单晶硅质量和生产效率起到重要作用。为了确保下测温坩埚升降装置测温的精准度，一般进行一次测温后需要快速通过水冷装置对测温主轴进行快速降温，以备下一次测温，但现有的测温主轴水冷装置其冷却水与测温主轴的接触面积较小，导致降温效果不佳，很难在较短时间达到降温预期，对后续测量的精准度造成影响，因此需要进行改进和优化。
技术实现思路
1、为解决上述问题，本技术要解决的技术问题是提供一种降温快的单晶炉用下测温坩埚升降装置。
2、本技术单晶炉用下测温坩埚升降装置采用的技术方案: 坩埚升降组件、可移动地设在所述坩埚升降组件上的坩埚主轴托盘组件、穿设在所述坩埚主轴托盘组件内的坩埚主轴装置、安装在所述坩埚主轴装置前端的下测温装置，其特征在于所述坩埚主轴装置包括主轴组件和套设在所述主轴组件上的坩埚磁流体...
【技术保护点】
1.一种单晶炉用下测温坩埚升降装置，包括坩埚升降组件（1）、可移动地设在所述坩埚升降组件（1）上的坩埚主轴托盘组件（2）、穿设在所述坩埚主轴托盘组件（2）内的坩埚主轴装置（3）、安装在所述坩埚主轴装置（3）前端的下测温装置（4），其特征在于：所述坩埚主轴装置（3）包括主轴组件（6）和套设在所述主轴组件（6）上的坩埚磁流体组件（7），所述主轴组件（6）包括主轴（9）、轴隔水管（10）、轴外接套（11）、外接套端封板（12）和水冷座（13），所述主轴（9）包括主轴主体（17）和主轴凸台（18），所述轴隔水管（10）包括轴隔水管主体（19）和设在所述轴隔水管主体（19）端部...
【技术特征摘要】
1.一种单晶炉用下测温坩埚升降装置，包括坩埚升降组件（1）、可移动地设在所述坩埚升降组件（1）上的坩埚主轴托盘组件（2）、穿设在所述坩埚主轴托盘组件（2）内的坩埚主轴装置（3）、安装在所述坩埚主轴装置（3）前端的下测温装置（4），其特征在于：所述坩埚主轴装置（3）包括主轴组件（6）和套设在所述主轴组件（6）上的坩埚磁流体组件（7），所述主轴组件（6）包括主轴（9）、轴隔水管（10）、轴外接套（11）、外接套端封板（12）和水冷座（13），所述主轴（9）包括主轴主体（17）和主轴凸台（18），所述轴隔水管（10）包括轴隔水管主体（19）和设在所述轴隔水管主体（19）端部的轴隔水管凸台（20），所述轴隔水管（10）内设有用于所述主轴主体（17）穿设的轴隔水管穿设孔（21），所述轴隔水管穿设孔（21）内壁和所述主轴主体（17）外壁之间形成进水间隙；
2.根据权利要求1所述的单晶炉用下测温坩埚升降装置，其特征在于：所述水冷座（13）内设有与所述轴外接套主体（23）相对应的水冷座对接孔（30），所述水冷座（13）外壁设有贯穿设置且与所述进水孔（27）相连通的水冷座进水接孔（31）和贯穿设置且与所述出水孔（28）相连通的水...
【专利技术属性】
技术研发人员：周云龙，吴凌锋，
申请(专利权)人：浙江晶泰半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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