【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种改善衬底背封缺陷的方法。
技术介绍
1、采用重掺杂衬底制备半导体器件产品时，为了避免掺杂物质在后续产品流片的高温工艺过程中从衬底背面逸出，影响工艺腔氛围及衬底正面膜层掺杂浓度，通常在衬底背面形成氧化物膜层对衬底进行背封。为了防止作为衬底背封层的氧化物膜层被后续流片过程的湿法刻蚀工艺去除，在氧化物膜层上形成多晶硅层或者依次形成多晶硅层和另一氧化物膜层。
2、在衬底正面实施硅外延工艺时，高温炉管中脱落的硅在氮气冲洗及晶圆舟旋转状态下于衬底背封层中多晶硅层的裸露部分形成弧形缺陷，造成衬底背封层背封性能的下降。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种改善衬底背封缺陷的方法，用于解决现有技术中衬底正面实施硅外延工艺在衬底背封层上形成弧形缺陷的问题。
2、为实现上述目的及其它相关目的，本申请提供一种改善衬底背封缺陷的方法，包括：
3、步骤一，提供一衬底，形成包覆衬底的第一高温氧化物膜层；
4、...
【技术保护点】
1.一种改善衬底背封缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过高温氧化工艺形成所述第一高温氧化物膜层和所述第二高温氧化物膜层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过低压化学气相沉积工艺形成所述多晶硅层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述低压化学气相沉积的气源为硅烷，温度为600℃-700℃。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二高温氧化物膜层、所述多晶硅层和所述第一高温氧化物膜层具有不同的厚度。
6.根据权利要求1所述的方法，其...
【技术特征摘要】
1.一种改善衬底背封缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过高温氧化工艺形成所述第一高温氧化物膜层和所述第二高温氧化物膜层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过低压化学气相沉积工艺形成所述多晶硅层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述低压化学气相沉积的气源为硅烷，温度为600℃-700℃。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二高温氧化物膜层、所述多晶硅层和所述第一高温氧化物膜层具有不同的厚度。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过第一湿法刻蚀工艺去除位于所述衬底正面及边缘区域的第二高温氧化物膜层和多晶硅层。
...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹志伟，张召，高超，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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