温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请提供一种改善衬底背封缺陷的方法，包括：步骤一，提供一衬底，形成包覆衬底的第一高温氧化物膜层；步骤二，形成多晶硅层，包覆第一高温氧化物膜层；步骤三，形成第二高温氧化物膜层，包覆多晶硅层；步骤四，去除位于衬底正面及边缘区域的第二高温氧化物...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。