静电吸盘制造技术

本发明专利技术提供一种静电吸盘，在极低温的环境下，能够抑制发生陶瓷电介体基板从基座板的剥离及陶瓷电介体基板的裂开。一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板；金属制的基座板，支撑所述陶瓷电介体基板；及接合层，设置在所述陶瓷电介体基板与所述基座板之间且含有树脂材料，其特征为，满足相关于接合层的伸长率、接合强度、弹性模量的第1～第6条件中至少任意一个。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的形态一般涉及一种静电吸盘。

技术介绍

1、在进行蚀刻(etching)、化学汽相沉积(cvd(chemical vapor depo sition))、溅射(sputtering)、离子注入、抛光、曝光、检查等的基板处理装置中，作为吸附保持半导体晶片或玻璃基板等被吸附物(对象物)的方法而使用静电吸盘。

2、在氧化铝等的陶瓷电介体基板之间夹住电极并进行烧成而制作静电吸盘。静电吸盘是在内置的电极上外加静电吸附用电力，并通过静电力来吸附硅片等的基板。

3、近几年，在这样的基板处理装置中，伴随流程的细微化，为了提高加工精度而研究了在比以往更低温环境下的处理。与此相伴，即使在静电吸盘中，也要求在比以往更低温环境下可使用的低温抗性。

4、专利文献

5、专利文献1：日本国特开2003-273202号公报

技术实现思路

1、得到了如下知识，虽然现有的静电吸盘例如可在-20℃左右的低温环境下使用，但是在-60℃以下的极低温的环境下，接合陶瓷电介体基板与基座板的接合层的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种静电吸盘，具备：

2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，所述伸长率α1为175％以上。

3.根据权利要求2所述的静电吸盘，其特征为，所述伸长率α1为200％以上。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述的静电吸盘，其特征为，所述比α1/α2为0.80以上。

5.根据权利要求1～4中任意一项所述的静电吸盘，其特征为，所述接合强度β1为0.4MPa以上、2.0MPa以下。

6.根据权利要求1～5中任意一项所述的静电吸盘，其特征为，所述比β1/β2为0.8以上。

7.根据权利要求1～6中任意一项所述的静电吸盘，...

【技术特征摘要】

1.一种静电吸盘，具备：

2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，所述伸长率α1为175％以上。

3.根据权利要求2所述的静电吸盘，其特征为，所述伸长率α1为200％以上。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述的静电吸盘，其特征为，所述比α1/α2为0.80以上。

5.根据权利要求1～4中任意一项所述的静电吸盘，其特征为，所述接合强度β1为0.4mpa以上、2.0mpa以下。

6.根据权利要求1～5中任意一项所述的静电吸盘，其特征为，所述比β1/β2为0.8以上。

7.根据权利要求1～6中任意一项所述的静电吸盘，其特征为，所述弹性模量γ1为0.3mpa以上、0.9mpa以下。

8.根据权利要求1～7中任意一项所述的静电吸盘，其特征为，所述比γ1/γ2为0.8以上。

9.根据权利要求1～8中任意一项所述的静电吸盘，其特征为，所述陶瓷电介体基板含有氧化铝、氮化铝、碳...

【专利技术属性】
技术研发人员：籾山大，佐佐木均，
申请(专利权)人：TOTO株式会社，
类型：发明
国别省市：