一种保护碳化硅板的工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种保护碳化硅板的工艺方法，包括如下步骤：S1、薄膜一次沉积S11、将碳化硅板放置于处理室中；S12、将稀释气体导入处理室中，稀释气体为氩气与氦气或者氩气与氮气的混合气体；S13、向处理室中引入射频交变电场，产生等离子体；S14、向处理室中引入反应气体，反应气体发生分解，在碳化硅板上沉积膜层；S2、薄膜刻蚀S21、处理室中停止供应反应气体，向处理室中引入氧气；S22、氧气分解为氧离子，氧离子与膜层发生反应，刻蚀膜层；S3、薄膜二次沉积S31、停止供应氧气，处理室中重新引入反应气体；S32、反应气体发生分解，在刻蚀后的膜层表面二次沉积膜层，反应气体为乙炔或丙烯。本发明专利技术保护碳化硅板的工艺方法，对碳化硅板的覆盖性优异。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造，尤其涉及一种保护碳化硅板的工艺方法。

技术介绍

1、在现有的半导体工艺中，通常采用高温扩散或离子注入方法进行掺杂，以改变材料的导电类型和电阻率，从而满足不同的应用需求。其中，高温扩散工艺简单，设备便宜，对晶格损伤低，但是温度较高；离子注入工艺复杂，设备昂贵，对晶格损伤相对较大，但是温度较低，能够实现灵活且精准的掺杂分布。

2、对半导体器件进行掺杂，包括p型掺杂和n型掺杂，p型掺杂是向碳化硅晶体中引入具有三价离子的杂质，如铝(al)或硼(b)，这些杂质在晶体中形成空穴，主导空穴导电行为，使碳化硅表现为p型半导体；n型掺杂是向碳化硅晶体中引入具有五价离子的杂质，如氮(n)或磷(p)，这些杂质在晶体中形成自由电子，主导自由电子导电行为，使碳化硅表现为n型半导体。

3、在碳化硅(sic)基底中，si-c键具有很高的键能，而上述的杂质原子n、p、al、b扩散系数非常小，采用高温扩散工艺无法实现效果。若欲达到上述杂质原子在sic中的扩散系数，需要极高的温度(2000℃以上)，这样会对sic器件造成损伤，导致器件电学性本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种保护碳化硅板的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的保护碳化硅板的工艺方法，其特征在于，所述碳化硅板为沟槽型碳化硅板。

3.根据权利要求1所述的保护碳化硅板的工艺方法，其特征在于，S1步骤中稀释气体与反应气体的比例为1:1-9:1或者31:1-50:1。

4.根据权利要求3所述的保护碳化硅板的工艺方法，其特征在于，所述稀释气体中氩气的流量为500sccm-3000sccm，氦气的流量为100sccm-1000sccm，反应气体的流量为30sccm-500sccm；或者，所述稀释气体中氩气的流量为500sccm-4000s...

【技术特征摘要】

1.一种保护碳化硅板的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的保护碳化硅板的工艺方法，其特征在于，所述碳化硅板为沟槽型碳化硅板。

3.根据权利要求1所述的保护碳化硅板的工艺方法，其特征在于，s1步骤中稀释气体与反应气体的比例为1:1-9:1或者31:1-50:1。

4.根据权利要求3所述的保护碳化硅板的工艺方法，其特征在于，所述稀释气体中氩气的流量为500sccm-3000sccm，氦气的流量为100sccm-1000sccm，反应气体的流量为30sccm-500sccm；或者，所述稀释气体中氩气的流量为500sccm-4000sccm，氮气的流量为100sccm-1200sccm，反应气体的流量为30sccm-500sccm。

5.根据权利要求4所述的保护碳化硅板的工艺方法，其特征在于，所述稀释气体中氩气的流量为2600sccm，氦气的流量为500sccm，反应气体的流量为100sccm；或者，所述稀释气体中氩气的流量为2600sccm，氮气的流量为500sccm，反应气体的流量为100sccm。

6.根据权利要求1所述的保护碳化硅板的工艺方法，其特征在于，所述射频交变电场的射频频率为13.56mhz，所述射频交变电场的射频功率为100w-1500...

【专利技术属性】
技术研发人员：禅明，钱迪，罗静方，高磊，
申请(专利权)人：盛吉盛半导体科技无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：