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本发明公开了一种保护碳化硅板的工艺方法，包括如下步骤：S1、薄膜一次沉积S11、将碳化硅板放置于处理室中；S12、将稀释气体导入处理室中，稀释气体为氩气与氦气或者氩气与氮气的混合气体；S13、向处理室中引入射频交变电场，产生等离子体；S14...
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