CVD薄膜沉积反应腔室的进气系统技术方案

本发明专利技术属于半导体设备技术领域，具体涉及一种CVD薄膜沉积反应腔室的进气系统，通过在各腔室单元的顶部设置匀气组件，且匀气组件的两个匀气盘分别与盖板密封连接，从而形成一级匀气室和二级匀气室，且一级匀气室且还设置有由消能锥体和消能围栏形成的消能组件，使得反应气体从进气口进入到腔体结构内部时，对带压气体进行降压消能，使其在一级匀气室进行充分混合，从而对反应气体进行消能，在消能的基础上将竖直喷出的气流紊流化均匀化，混匀消能后的反应气体经过第一释放孔均匀进入到第二匀气室进行进一步的混匀消能，并通过第二释放孔进入到腔室内均匀沉积在晶圆表面，有利于提升薄膜沉积的均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体设备，具体涉及一种cvd薄膜沉积反应腔室的进气系统。

技术介绍

1、现有的cvd（chemical vapor deposition，化学气相沉积）薄膜沉积设备，其反应腔室的进气一般采用顶部直接进气，这会使得进气口直接对准晶圆的中心，从而使得气流无法均匀分布在晶圆的表面，这样会导致晶圆出现中间厚边缘薄的问题，从而影响晶圆薄膜沉积厚度的均匀性，而晶圆薄膜沉积厚度的均匀性是晶圆镀膜质量的一个重要指标。

2、需要说明的是，本专利技术的该部分内容仅提供与本专利技术有关的
技术介绍
，而并不必然构成现有技术或公知技术。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种cvd薄膜沉积反应腔室的进气系统，以克服现有的问题cvd薄膜沉积反应腔室沉积薄膜均匀性无法满足要求的问题。

2、为了实现上述目的，本专利技术实施例提供一种cvd薄膜沉积反应腔室的进气系统，包括：

3、反应腔体，所述反应腔体包括至少一个腔室单元；其中，所述腔室单元包括：腔体结构、匀气组件以及晶圆支撑平台，所述晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种CVD薄膜沉积反应腔室的进气系统，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的CVD薄膜沉积反应腔室的进气系统，其特征在于，所述消能锥体的底部与所述第一匀气盘之间设置弹簧底座。

3.根据权利要求1所述的CVD薄膜沉积反应腔室的进气系统，其特征在于，所述消能锥体与所述消能围栏之间的所述第一匀气盘表面为磨砂表面或者设有粗糙表面涂层；

4.根据权利要求1所述的CVD薄膜沉积反应腔室的进气系统，其特征在于，靠近中心区域的若干所述第一释放孔向内朝向所述第二匀气盘的中心倾斜，靠近边缘区域的若干所述第一释放孔向外朝向所述第二匀气盘的边缘扩散。

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【技术特征摘要】

1.一种cvd薄膜沉积反应腔室的进气系统，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的cvd薄膜沉积反应腔室的进气系统，其特征在于，所述消能锥体的底部与所述第一匀气盘之间设置弹簧底座。

3.根据权利要求1所述的cvd薄膜沉积反应腔室的进气系统，其特征在于，所述消能锥体与所述消能围栏之间的所述第一匀气盘表面为磨砂表面或者设有粗糙表面涂层；

4.根据权利要求1所述的cvd薄膜沉积反应腔室的进气系统，其特征在于，靠近中心区域的若干所述第一释放孔向内朝向所述第二匀气盘的中心倾斜，靠近边缘区域的若干所述第一释放孔向外朝向所述第二匀气盘的边缘扩散。

5.根据权利要求1所述的cvd薄膜沉积反应腔室的进气系统，其特征在于，所述消能锥体与所述消能围栏之间形成消能释放槽，所述消能释放槽与所述消能锥体和所述消能围栏的底端均采用弧形圆滑过渡连接。

6.根据权利要求1所述的cvd薄膜沉积...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵福明，黄善发，禅明，张永刚，许存娥，
申请(专利权)人：盛吉盛半导体科技无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：