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本发明属于半导体设备技术领域，具体涉及一种CVD薄膜沉积反应腔室的进气系统，通过在各腔室单元的顶部设置匀气组件，且匀气组件的两个匀气盘分别与盖板密封连接，从而形成一级匀气室和二级匀气室，且一级匀气室且还设置有由消能锥体和消能围栏形成的消能组...
该专利属于盛吉盛半导体科技（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过盛吉盛半导体科技（无锡）有限公司授权不得商用。

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