【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种薄膜沉积设备、一种薄膜沉积设备的产能优化方法，以及一种计算机可读存储介质。
技术介绍
1、随着半导体制造工艺的快速发展，薄膜沉积设备作为核心工艺装备，其生产效率直接影响晶圆制造的产能。在现有技术中，薄膜沉积设备通常包含传输腔、工艺腔及外部传输机构，晶圆需通过传输机构在外部装载位置、传输腔和多个工艺腔之间进行多级转运。具体流程包括：晶圆从外部经传输机构送入传输腔，再分配到各工艺腔进行沉积处理，完成后再反向传回外部。
2、当前薄膜沉积设备中，传输机构需频繁执行晶圆装载、定位及跨腔转运操作，其机械结构在单位时间内可完成的传片量无法匹配多工艺腔并行处理所需的吞吐量，因而传片的机械产能无法满足工艺产能需求。这种产能匹配的失衡导致晶圆在传输腔或工艺腔接口处排队等待，造成设备整体产能逐渐受限于机械传片效率的情况。
3、为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种薄膜沉积技术，用于避免晶圆在传输过程中因机械产能不足而停滞等待，从而消除机械产能对整体设备产能的制约，使工艺腔的沉积处理效率得以...
【技术保护点】
1.一种薄膜沉积设备，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述根据所述工艺腔室的数量、传片时长及所述工艺时长，输出对所述薄膜沉积设备的至少一个所述沉积执行组件的优化提示的步骤包括：
3.如权利要求2所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述根据所述工艺腔室的数量及所述传片时长，确定总传片时长的表达式如下：
4.如权利要求2所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述根据所述工艺时长与所述总传片时长，输出对所述薄膜沉积设备的至少一个所述沉积执行组件的优化提示的步骤包括：
5.如权利要求4所述的薄膜沉积设备...
【技术特征摘要】
1.一种薄膜沉积设备，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述根据所述工艺腔室的数量、传片时长及所述工艺时长，输出对所述薄膜沉积设备的至少一个所述沉积执行组件的优化提示的步骤包括：
3.如权利要求2所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述根据所述工艺腔室的数量及所述传片时长，确定总传片时长的表达式如下：
4.如权利要求2所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述根据所述工艺时长与所述总传片时长，输出对所述薄膜沉积设备的至少一个所述沉积执行组件的优化提示的步骤包括：
5.如权利要求4所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述根据所述工艺时长与所述总传片时长，输出对所述薄膜沉积...
【专利技术属性】
技术研发人员：高生，王磊，陈超，
申请(专利权)人：拓荆创益沈阳半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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