一种超薄石英晶片结构、制备方法及石英谐振器技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，公开了一种超薄石英晶片结构、制备方法及石英谐振器，通过在石英晶片主体上设置至少一个晶片增强凹槽，在每个晶片增强凹槽内设置晶片功能凹槽，以晶片增强凹槽的至少一个侧壁与石英晶片主体构成晶片增强结构，能够为石英晶片结构的整体强度提供不同程度的强度增幅，以每个晶片功能凹槽的至少一个侧壁与该侧壁方向上的晶片增强凹槽的侧壁共同形成两级台阶状强度结构，能够为每个晶片功能凹槽的底面平台构成的功能晶片提供保护与支撑。同时，通过部署每种石英晶片所分配到的晶圆和每个晶圆所采用的晶片增强结构，在保证石英晶片制备需求的同时，尽可能提升所制备石英晶片的整体强度结构，提升产品生产合格率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及到一种超薄石英晶片结构、制备方法及石英谐振器。

技术介绍

1、随着通讯技术的发展，对超高频石英晶片的需求越来越高。超高频石英晶片厚度极薄，采用常规的机械研磨抛光工艺，难以达到其厚度。在后续工序和封装过程中，石英晶片非常容易发生破损，生产合格率低。

2、目前，制造超薄石英晶片的方法是在较厚的石英晶片表面刻蚀一个凹陷的平台，平台底部的石英厚度为最终需要的厚度。为了保证工艺的可加工性，多颗石英晶片在同一3inch/4inch wafer上，为了保证结构强度，石英晶片厚度往往较厚，如120um。但石英晶片过厚，会导致小尺寸超高频石英晶片性能难以达到需求，降低石英晶片厚度成为趋势。

3、因此，如何在降低石英晶片结构厚度的同时，提升石英晶片的整体结构强度，是一个亟需解决的技术问题。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种超薄石英晶片结构、制备方法及石英谐振器，旨在解决上述至少一个技术问题。

2、为实现上述目的，本专利技术提供一种超薄石英晶片结构，包括：...

【技术保护点】

1.一种超薄石英晶片结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的超薄石英晶片结构，其特征在于，所述石英晶片主体的第一厚度值被配置为晶圆的厚度值。

3.如权利要求2所述的超薄石英晶片结构，其特征在于，所述石英晶片主体的第一厚度值的范围为80um-500um。

4.如权利要求1所述的超薄石英晶片结构，其特征在于，所述晶片增强凹槽的底面平台的第二厚度值的范围为15um-100um。

5.如权利要求1所述的超薄石英晶片结构，其特征在于，所述晶片功能凹槽的底面平台的第三厚度值的范围为5um-30um。

6.如权利要求1所述的超薄石英晶...

【技术特征摘要】

1.一种超薄石英晶片结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的超薄石英晶片结构，其特征在于，所述石英晶片主体的第一厚度值被配置为晶圆的厚度值。

3.如权利要求2所述的超薄石英晶片结构，其特征在于，所述石英晶片主体的第一厚度值的范围为80um-500um。

4.如权利要求1所述的超薄石英晶片结构，其特征在于，所述晶片增强凹槽的底面平台的第二厚度值的范围为15um-100um。

5.如权利要求1所述的超薄石英晶片结构，其特征在于，所述晶片功能凹槽的底面平台的第三厚度值的范围为5um-30um。

6.如权利要求1所述的超薄石英晶片结构，其特征在于，所述晶片增强凹槽的四个侧壁与石英晶片主体连接，所述晶片增强凹槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷晗，孟玉鑫，郭思琴，
申请(专利权)人：四川泰美克科技有限公司，
类型：发明
国别省市：