【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
1、自对准金属硅化物的形成在半导体集成电路制造中是一项关键工艺，该工艺所涉及到的技术十分复杂，且金属硅化物的形成优良直接影响着整个半导体上的器件的电学性能、均一性与可靠性。又因此道工艺对微小污染较为敏感，且工艺过程经历两道热反应一道含多种酸的酸洗，多种来源的微小污染容易在工艺过程中参与反应产生很多难以追根溯源的副产物，因此在此工艺过程中，控制空气污染、反应副产物残留及金属污染十分关键。
2、然而，现有技术在形成金属硅化物的过程中仍存在诸多问题。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构的形成方法，以提升产品的良率。
2、为解决上述问题，本专利技术技术方案提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底内形成硅层；在所述硅层上形成金属层；对所述金属层和所述硅层进行第一热处理，以形成初始金属硅化物层；采用第一酸洗处理去除剩余的所述金属层；在所述第一酸洗处理之后，对所述初...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在进行所述第一热处理之前，还包括：在所述衬底形成保护层，所述保护层覆盖所述金属层。
3.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底包括有源区；在形成所述硅层之前，还包括：在所述衬底上形成栅极结构，所述栅极结构横跨所述有源区。
4.如权利要求3所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述硅层形成于所述栅极结构两侧的所述有源区内。
5.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料包括：钴
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在进行所述第一热处理之前，还包括：在所述衬底形成保护层，所述保护层覆盖所述金属层。
3.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底包括有源区；在形成所述硅层之前，还包括：在所述衬底上形成栅极结构，所述栅极结构横跨所述有源区。
4.如权利要求3所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述硅层形成于所述栅极结构两侧的所述有源区内。
5.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料包括：钴、镍或钛。
6.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料包括：氮化钛。
7.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一热处理的参数包括：热处理温度为450摄氏度～550摄氏度；热处理时间为20秒～40秒。
8.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一酸洗处理的参数包括：酸洗溶液包括：硝酸、磷酸和醋酸；酸洗温度为55摄氏度～75摄氏度；其中，硝酸的溶液浓度为55％～65％；磷酸的溶液浓度为80％～90％；醋酸的溶液浓度为55...
【专利技术属性】
技术研发人员：白湛铎，李磊，查泽奇，徐锴，汪杰，纪宁，王振辉，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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