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一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底内形成硅层；在所述硅层上形成金属层；对所述金属层和所述硅层进行第一热处理，以形成初始金属硅化物层；采用第一酸洗处理去除剩余的所述金属层；在所述第一酸洗处理之后，对所述初始金属硅化物层进行第...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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