【技术实现步骤摘要】
本申请涉及湿法腐蚀设备的，尤其是涉及一种提升扩散过程主导的湿法腐蚀均匀性的装置。
技术介绍
1、晶圆湿法腐蚀过程可以拆解为三步：首先溶液分子向晶圆表面扩散；然后当溶液分子扩散至晶圆表面时，会在晶圆表面发生化学反应；最后，化学反应的生成物向溶液中远离晶圆方向扩散。如果溶液中的分子数目巨大，并且扩散速度非常快，那么化学反应速度将主导整个刻蚀过程。如果溶液中的分子数目较少或者扩散速度很慢，那么整个刻蚀过程就会由扩散过程主导。
2、扩散主导的刻蚀不像反应速度主导的刻蚀那么剧烈，因此刻蚀过程会更稳定，刻蚀之后形成的表面形貌更光滑，缺陷更少。但是扩散过程主导的刻蚀对晶圆尺寸、刻蚀液的浓度分布、温度分布以及流动速度分布等参数高度敏感，因此刻蚀的均匀性通常较差。通常晶圆边缘处可以接触到由晶圆正上方以及晶圆侧面甚至背面扩散过来的溶液分子，但是晶圆中心处只能接触到晶圆正上方扩散过来的溶液分子，所以在扩散主导的刻蚀过程中，晶圆边缘的刻蚀速率远高于晶圆中心的刻蚀速率，导致刻蚀均匀性较差，对大面积芯片尤其如此。
3、目前工业界通常采取一些...
【技术保护点】
1.一种提升扩散过程主导的湿法腐蚀均匀性的装置，包括刻蚀槽体(1)，所述刻蚀槽体(1)内设有用于放置晶圆的样品台(2)，其特征在于：所述刻蚀槽体(1)内设有位于样品台(2)上方与样品台(2)正对的调节盘(3)，所述调节盘(3)上开设有若干刻蚀孔(31)，所述刻蚀孔包括位于调节盘(3)边缘的外孔(312)以及位于调节盘(3)内部的内孔(311)，所述内孔(311)的孔径小于外孔(312)的孔径。
2.根据权利要求1所述的一种提升扩散过程主导的湿法腐蚀均匀性的装置，其特征在于：所述内孔(311)和外孔(312)呈环形分布于调节盘(3)上形成多道同轴的环形的刻蚀...
【技术特征摘要】
1.一种提升扩散过程主导的湿法腐蚀均匀性的装置，包括刻蚀槽体(1)，所述刻蚀槽体(1)内设有用于放置晶圆的样品台(2)，其特征在于：所述刻蚀槽体(1)内设有位于样品台(2)上方与样品台(2)正对的调节盘(3)，所述调节盘(3)上开设有若干刻蚀孔(31)，所述刻蚀孔包括位于调节盘(3)边缘的外孔(312)以及位于调节盘(3)内部的内孔(311)，所述内孔(311)的孔径小于外孔(312)的孔径。
2.根据权利要求1所述的一种提升扩散过程主导的湿法腐蚀均匀性的装置，其特征在于：所述内孔(311)和外孔(312)呈环形分布于调节盘(3)上形成多道同轴的环形的刻蚀环，所述刻蚀环和刻蚀环之间设有若干吸附管(4)。
3.根据权利要求2所述的一种提升扩散过程主导的湿法腐蚀均匀性的装置，其特征在于：所述吸附管(4)的下端与样品台(2)之间的距离沿调节盘(3)的边缘向调节盘(3)中心方向逐渐变大。
4.根据权利要求2所述的一种提升扩散过程主导的湿法腐蚀均匀性的装置，其特征在于：所述调节盘(3)的上方设有若干同轴设置的吸附环管(5)，所述吸附管(4)的上端与吸附环管(5)相连通，连接于同一吸附环管(5)上的吸附管(4)的下端与样品台(2)之间的距离相等，不同吸附环管(5)上的吸附管(4)与样品台(2)之间的距离不同。
5.根据权利要求4...
【专利技术属性】
技术研发人员：冷祥，严帅帅，李永安，李明欣，魏明，
申请(专利权)人：华辰芯光无锡半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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