【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、目前的rram结构的形成方法一般是：先沉积底电极、阻变层和顶电极材料，再刻蚀底电极、阻变层和顶电极材料形成由底电极、阻变层和顶电极构成的存储器单元。然而由于底电极、阻变层和顶电极厚度较厚，会对前层套刻对准信号产生遮挡，导致刻蚀工艺精度较差。此外，由于底电极、阻变层和顶电极厚度较厚，在形成覆盖存储器单元的介质层时容易在层间介质层中产生空洞。
2、因此，有必要提供一种更有效、更可靠的技术方案，避免刻蚀精度差的问题以及提高层间介质层的质量。
技术实现思路
1、本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以避免刻蚀精度差的问题以及提高层间介质层的质量。
2、本申请的一个方面提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底中形成有第一金属层，所述基底和第一金属层表面形成有掩膜层，所述掩膜层中形成有贯穿所述掩膜层并电连接所述第一金属层的底电极；在所述掩膜层和底电极表面形成第一层间介质层，所述第一层间介质层中...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底表面的介质层，所述第一金属层位于所述介质层中。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一开口部分或完全暴露所述底电极。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一开口底部的阻变层的厚度大于所述第一开口侧壁的阻变层的厚度。
5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一开口底部的阻变层的厚度与所述第一开口侧壁的阻...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底表面的介质层，所述第一金属层位于所述介质层中。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一开口部分或完全暴露所述底电极。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一开口底部的阻变层的厚度大于所述第一开口侧壁的阻变层的厚度。
5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一开口底部的阻变层的厚度与所述第一开口侧壁的阻变层的厚度之比为1:...
【专利技术属性】
技术研发人员：贺晓东，武咏琴，
申请(专利权)人：北方集成电路技术创新中心北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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