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本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底中形成有第一金属层，所述基底和第一金属层表面形成有掩膜层，所述掩膜层中形成有贯穿所述掩膜层并电连接所述第一金属层的底电极；第一层间介质层，位于所述掩膜层和底电极表面，所述第...
该专利属于北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司授权不得商用。

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