半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，包含：第一导电型的第二中浓度区(121)，其在外周区(9)中选择性地形成于漂移区(12)的第一主面(3)侧的表层部；作为沟道阻挡区的第一导电型的第二高浓度区(43)，其在外周区中相对于第二中浓度区配置于第一主面侧，且第一导电型杂质浓度比第二中浓度区高，其中，第一主面侧是第一主面的表层部；第二导电型的沟道阻挡接触区(122)，其形成于第二中浓度区的第二高浓度区侧的表层部；沟道阻挡电极(106)，其在外周区中以覆盖沟道阻挡接触区的方式配置于第一主面上；沟道阻挡连接电极(124)，其将沟道阻挡电极与沟道阻挡接触区电连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及半导体装置。

技术介绍

1、专利文献1公开了包含半导体基板、多个沟槽构造以及栅极焊盘部的半导体装置。多个沟槽构造形成于半导体基板的表面。栅极焊盘部以覆盖多个沟槽构造的方式配置在半导体基板之上。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：美国专利申请公开第2017/0040423号说明书

技术实现思路

1、专利技术要解决的课题

2、本公开的目的在于提供一种能够降低漏电流的半导体装置。

3、用于解决课题的手段

4、本公开的一实施方式提供一种半导体装置，包含：芯片，其具有第一主面和该第一主面的相反侧的第二主面；有源区，其设置于所述第一主面；外周区，其设置于所述第一主面的外周部，该外周部是所述有源区外；第一导电型的漂移区，其形成于所述芯片的内部；作为载流子累积区的第一导电型的第一中浓度区，其在所述有源区中形成于所述漂移区的所述第一主面侧的表层部，且第一导电型杂质浓度比所述漂移区高；第二导电型的沟道区，其在所述有源区中相对于所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，包含：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，

11.根据权利要求10所述的半导体装...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置，包含：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，

11.根据权利要求10所...

【专利技术属性】
技术研发人员：村崎耕平，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：