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一种半导体装置，包含：第一导电型的第二中浓度区(121)，其在外周区(9)中选择性地形成于漂移区(12)的第一主面(3)侧的表层部；作为沟道阻挡区的第一导电型的第二高浓度区(43)，其在外周区中相对于第二中浓度区配置于第一主面侧，且第一导电...
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