【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单晶硅腐蚀处理，特别是涉及一种单晶硅样品腐蚀系统及其腐蚀工艺。
技术介绍
1、单晶硅片是由单晶硅制成的薄片，单晶硅具有高度有序的原子结构，这使得它在电子特性上表现出色，广泛应用于制造各种半导体器件，例如集成电路等。单晶硅片在切割和研磨过程中，不可避免地会在硅片表面形成损伤层，这些损伤会严重影响硅片的电学性能，并可能导致后续工艺失效。而通过腐蚀可以有效去除这些损伤层，恢复硅片表面的高质量晶体结构。
2、现有的硅片腐蚀技术中最常见的是湿法腐蚀技术，具体操作时，将硅片置于腐蚀液中，通过腐蚀液和硅片发生化学反应，去除硅片表面的缺陷。但是上述的腐蚀过程中存在以下问题：硅片被腐蚀掉的物质（诸如六氟硅酸、硅酸盐等）溶解于腐蚀液中，这些物质的存在会对腐蚀造成持续的干扰，导致腐蚀液中的有效成分（诸如hno3、hf、koh等）被消耗，腐蚀液的浓度下降，进而导致难以精确控制硅片表面的腐蚀深度和表面形貌。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对目前的硅片腐蚀设备所存在的问题，提供一种单晶硅...
【技术保护点】
1.一种单晶硅样品腐蚀系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种单晶硅样品腐蚀系统，其特征在于，所述腐蚀槽的外部设有第一驱动组件，第一驱动组件用于驱动盖板沿竖直方向移动；
3.根据权利要求2所述的一种单晶硅样品腐蚀系统，其特征在于，所述腐蚀槽的外部还设有第二驱动组件，第二驱动组件用于驱动载料盒沿竖直方向移动；
4.根据权利要求3所述的一种单晶硅样品腐蚀系统，其特征在于，所述载料盒内部转动设置有转动盘，转动盘的轴线水平，转动盘的周向等间距设有多个载料夹具，载料夹具用于夹持单晶硅样品。
5.根据权利要求4所述的一...
【技术特征摘要】
1.一种单晶硅样品腐蚀系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种单晶硅样品腐蚀系统，其特征在于，所述腐蚀槽的外部设有第一驱动组件，第一驱动组件用于驱动盖板沿竖直方向移动；
3.根据权利要求2所述的一种单晶硅样品腐蚀系统，其特征在于，所述腐蚀槽的外部还设有第二驱动组件，第二驱动组件用于驱动载料盒沿竖直方向移动；
4.根据权利要求3所述的一种单晶硅样品腐蚀系统，其特征在于，所述载料盒内部转动设置有转动盘，转动盘的轴线水平，转动盘的周向等间距设有多个载料夹具，载料夹具用于夹持单晶硅样品。
5.根据权利要求4所述的一种单晶硅样品腐蚀系统，其特征在于，所述转动盘和中间板之间设有第三驱动组件，第三驱动组件用于驱动转动盘绕其自身轴线低速转动。
6.根据权利要求5所述的一种单晶硅样品腐蚀系统，其特征在于，所述第三驱动组件包括电机、长轴、中心轴和锥形传动盘，电机设置在中间板上，电机的输出轴与长轴同轴固定连接，长轴远离电机的一端开设有锥形传动面，中心轴同轴设置在转动盘的一端，且中心轴从载料盒的侧面转动穿出，锥形传动盘...
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