降低机台量测异常退片的方法技术

本发明专利技术提供一种降低机台量测异常退片的方法，在研磨过程中，根据晶圆上膜层的量测前值状态选择SAPC计算模式；配置异常补偿开关控制低良率点数据参与计算，对未成功量测的晶圆赋值为0并进行标红提示；当缺少被参考的晶圆量测前值时，采用理想前值替代缺失数据。本发明专利技术开发了一种机台量测异常退片的逻辑优化方法，降低了异常退片风险，极大地提高了量产工艺的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种降低机台量测异常退片的方法。

技术介绍

1、在背照式cmos图像传感器制造流程中，bmg(backside metal grid，背面金属网格)工艺段通过引入机台sapc(statistical adaptive process control，统计自适应过程控制)反馈系统对cvd(化学气相沉积)teos沉积膜的粗糙表面研磨参数进行计算，以降低背面金属网格刻蚀后cvd淀积膜厚的不平整度。

2、然而，现有技术存在以下问题：

3、1.量测机台易触发对齐失败报警(alignment failed alarm)，导致整批晶圆(lot)自动退片(autoreturn)；

4、2.未成功量测的晶圆(wafer)在作业数据中无颜色提示，难以快速识别异常；

5、3.异常膜厚偏移影响范围大，威胁工艺稳定性。

6、为解决上述问题，需要提出一种新型的降低机台量测异常退片的方法。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种降低机台量测异常退片的方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的降低机台量测异常退片的方法，其特征在于：步骤一中的所述研磨为化学机械平坦化研磨。

3.根据权利要求1所述的降低机台量测异常退片的方法，其特征在于：步骤一中的所述根据晶圆量测前值状态选择SAPC计算模式包括：该片晶圆量测前值，SAPC计算时，用量测的前值进行计算；该片晶圆未量测前值，如果SAPC中勾选固定前值，用固定前值进行计算；该片晶圆未量测前值，未勾选固定前值，用已量测晶圆的平均值进行计算。

4.根据权利要求1所述的降低机台量测异常退片的方法，其特征在于：步骤一中的所...

【技术特征摘要】

1.一种降低机台量测异常退片的方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的降低机台量测异常退片的方法，其特征在于：步骤一中的所述研磨为化学机械平坦化研磨。

3.根据权利要求1所述的降低机台量测异常退片的方法，其特征在于：步骤一中的所述根据晶圆量测前值状态选择sapc计算模式包括：该片晶圆量测前值，sapc计算时，用量测的前值进行计算；该片晶圆未量测前值，如果sapc中勾选固定前值，用固定前值进行计算；该片晶圆未量测前值，未勾选固定前值，用已量测晶圆的平均值进行计算。

4.根据权利要求1所述的降低机台量测异常退片的方法，其特征在于：步骤一中的所述膜层为teos氧化层。

5.根据权利要求4所述的降低机台量测异常退片的方法，其特征在于：步骤一中的所述膜层利用化学气相沉积的方法形成。

6.根据权利要求1所述的降低机台量测异常退片的方法，其特征在于：步骤二中的所述低良率点根据拟合优度的高低进...

【专利技术属性】
技术研发人员：张全海，黄景山，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：