一种光学元件不同深度下耐辐照性能的评价方法技术

本发明专利技术提供了一种光学元件不同深度下耐辐照性能的评价方法。本发明专利技术的评价方法包括：利用高能量密度激光辐照光学元件获取膜层信息；对光学元件进行表面分析获取荧光光谱和原子力显微镜图像，记录典型缺陷数量；根据辐照刻蚀深度、表面缺陷平均数量和辐照前后缺陷数量变化判断光学元件表面质量；进行膜及其界面的微区力学性能分析，根据应力应变曲线的异常波动数量和位移突跃数量判断膜及其界面质量；进行基体和基体次表面分析，根据膜、基体、基体次表面的荧光光谱增长速率判断光学元件的薄弱位置。本发明专利技术利用激光辐照刻蚀和光谱效应配合高精度局域力学性能分析方法，实现了光学元件不同深度下耐辐照性能的评价。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及紫外激光材料，尤其是涉及一种光学元件不同深度下耐辐照性能的评价方法。

技术介绍

1、深紫外光(通常指波长范围在10nm至200nm之间)具有高能量，能够穿透许多材料，因此在半导体制造、生物医学成像、材料分析和科学研究等领域有着广泛的应用。深紫外光学元件能够精确控制和传输这种高能光，对于提高光刻技术分辨率、进行精确的dna分析以及研究材料的微观结构等方面都至关重要。随着技术的进步，深紫外光学元件的性能不断提升，对于推动相关领域的创新和发展具有重要意义。

2、在光学元件加工过程中，如切割、研磨、抛光等，由于对光学元件的机械物理作用和化学作用，会引起光学材料表面加工缺陷，如划痕、局部损伤坑和表层下方产生一系列微小的裂纹、位错、空位缺陷等次表面缺陷。光学元件镀膜过程，可能产生衬底与膜层结合不佳、膜层孔隙和空位类缺陷、划痕和杂质掺入等。同时，光学元件的加工和存放过程，也可能造成光学元件的表面污染。这些缺陷在光学元件内的分布是有深度差异的，且由于加工参数和材料特征的不同，不同光学元件中缺陷的含量和分布也会有一定差异。上述光学元件可能存在的缺陷本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光学元件不同深度下耐辐照性能的评价方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的评价方法，其特征在于，步骤S1中，高能量密度为1-3J/cm2；激光的波长为10-200nm；膜层信息包括有无镀膜和膜层厚度。

3.根据权利要求1所述的评价方法，其特征在于，步骤S2中，表面分析包括：采用激光的聚焦光斑分析光学元件的表面耐辐照性能，辐照采用正离焦方式，重复频率为100-500Hz，获取光学元件的多脉冲等离子体损伤阈值；以该多脉冲等离子体损伤阈值为能量密度辐照光学元件，监测由激光激发的荧光光谱，直到荧光光谱曲线稳定无变化。

<p>4.根据权利要求...

【技术特征摘要】

1.一种光学元件不同深度下耐辐照性能的评价方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的评价方法，其特征在于，步骤s1中，高能量密度为1-3j/cm2；激光的波长为10-200nm；膜层信息包括有无镀膜和膜层厚度。

3.根据权利要求1所述的评价方法，其特征在于，步骤s2中，表面分析包括：采用激光的聚焦光斑分析光学元件的表面耐辐照性能，辐照采用正离焦方式，重复频率为100-500hz，获取光学元件的多脉冲等离子体损伤阈值；以该多脉冲等离子体损伤阈值为能量密度辐照光学元件，监测由激光激发的荧光光谱，直到荧光光谱曲线稳定无变化。

4.根据权利要求1所述的评价方法，其特征在于，步骤s2中，根据辐照区和非辐照区的原子力显微镜图像记录典型缺陷数量，典型缺陷包括划痕类大尺度缺陷、污染物和气泡中的至少一种；结合光学元件的荧光光谱和原子力显微镜图像，确定光学元件表面污染、典型缺陷数量和分布情况。

5.根据权利要求1所述的评价方法，其特征在于，步骤s3中，判断光学元件表面质量包括如下步骤：

6.根据权利要求1所述的评价方法，其特征在于，步骤s5还包括：对光学元件镀膜进行抗辐照性能分析；抗辐照性能分析包括：采用激光正离焦方式辐照，以多脉冲等离子体损伤阈值为能量密度辐照光学元件，脉冲数量为50-500次，监测由激光激发的荧光光谱，分析辐照过程荧光光谱显著变化的峰位及峰值变化，确定产生光...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏佳妮，齐月静，齐威，马敬，
申请(专利权)人：北方集成电路技术创新中心北京有限公司，
类型：发明
国别省市：