一种双频幅值独立调控的太赫兹二进制编码器制造技术

技术编号:45635124 阅读:12 留言:0更新日期:2025-06-27 18:43
本技术公开一种双频幅值独立调控的太赫兹二进制编码器,由高阻硅层、二氧化硅层、共地电极和频率控制结构组成。二氧化硅层和高阻硅层相叠置,且二氧化硅层的下表面与高阻硅层的上表面相贴;频率控制结构叠置于二氧化硅层的上表面,共地电极叠置于高阻硅层的下表面。频率控制结构包括表面周期结构和引出结构。表面周期结构的透射单元由2个类C形的金属贴片、2个长条形的金属贴片和2个长条形的石墨烯贴片组成。2个引出结构分别与2个类C形的金属贴片连接。本技术可在同一芯片上实现太赫兹波选频、调制与频域编码,为集成化、多功能和小型化的太赫兹通信器件研发提供理论支撑和技术参考。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太赫兹,具体涉及一种双频幅值独立调控的太赫兹二进制编码器


技术介绍

1、随着物联网、大数据和人工智能等技术的出现与迅猛发展,人类社会即将进入智能时代,用户数字终端和各种业务数据量会爆炸性增长,对通信系统的容量和速率提出了全新要求。过去十年里,无线数据传输速率每十八个月翻一番,预计未来十年,无线数据传输速率会超过100gbit/s,现有无线通信系统将根本无法满足如此高的数据传输速率。太赫兹通信,能够有效缓解日益紧张的频谱资源和当前无线通信系统的容量和速率限制,已成为宽带无线通信的前沿方向和研究热点。而在点对点宽带太赫兹无线通信,尤其是太赫兹保密通信领域,需要对太赫兹波进行频域编码,即在频域将太赫兹波转化为二进制数字0或1进行传输。因此,研发双频幅值独立调控的太赫兹二进制编码器,对促进太赫兹通信器件的集成化、多功能和小型化具有十分重要的意义。


技术实现思路

1、本技术所要解决的是现有太赫兹波传输控制器件还无法实现双频幅值独立调控与频域编码的问题,提供一种双频幅值独立调控的太赫兹二进制编码器。

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双频幅值独立调控的太赫兹二进制编码器,包括编码器本体,其特征是,该编码器本体由高阻硅层(2)、二氧化硅层(3)、共地电极(1)和频率控制结构(4)组成;二氧化硅层(3)和高阻硅层(2)相叠置,且二氧化硅层(3)的下表面与高阻硅层(2)的上表面相贴;频率控制结构(4)叠置于二氧化硅层(3)的上表面,共地电极(1)叠置于高阻硅层(2)的下表面;

2.根据权利要求1所述的一种双频幅值独立调控的太赫兹二进制编码器,其特征是,位于同一行上的相邻2个透射单元之间的列间距为零,位于同一列上的相邻2个透射单元之间的行间距为零。

3.根据权利要求1所述的一种双频幅值独立调控...

【技术特征摘要】

1.一种双频幅值独立调控的太赫兹二进制编码器,包括编码器本体,其特征是,该编码器本体由高阻硅层(2)、二氧化硅层(3)、共地电极(1)和频率控制结构(4)组成;二氧化硅层(3)和高阻硅层(2)相叠置,且二氧化硅层(3)的下表面与高阻硅层(2)的上表面相贴;频率控制结构(4)叠置于二氧化硅层(3)的上表面,共地电极(1)叠置于高阻硅层(2)的下表面;

2.根据权利要求1所述的一种双频幅值独立调控的太赫兹二进制编码器,其特征是,位于同一行上的相邻2个透射单元之间的列间距为零,位于同一列上的相邻2个透射单元之间的行间距为零。

3.根据权利要求1所述的一种双频幅值独立调控的太赫兹二进制编码器,其特征是,上金属棒...

【专利技术属性】
技术研发人员:龚煜民刘志敏程自强石海泉尤运王彩云罗昕
申请(专利权)人:华东交通大学
类型:新型
国别省市:

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